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研究者發現電流刺激顳葉側部對有助於記憶的形成

本周《自然-通訊》發表的一篇論文Closed-loop stimulation of temporal cortex rescues functional networks and improves memory表明刺激大腦中的顳葉側部可提高記憶力

在普通大腦表面上呈現的刺激目標點。這些目標點顯示了自由回憶表現中數值的增加/減少,分別由紅/藍色表示。記憶增強部位聚集在顳葉側部的中間位置。

Youssef Ezzyatet al.

先前研究已表明一段經歷中的大腦活動能夠被用來預測這段經歷是否會成為記憶,在日後被回憶起來。在這項研究中,美國賓夕法尼亞大學的Michael Kahana和同事記錄25名在臨床監測下的癲癇症患者在試圖記憶12個單詞時的大腦神經活動。作者將這些活動數據輸入一個機器學習演算法,這個演算法能夠準確學習每個病人在記憶單詞時的大腦活動,並能夠預測病人是否可能會忘記它們。

在後續實驗中,當機器學習演算法鑒定某個病人的大腦並沒有正常編碼記憶時,研究人員用電流刺激病人大腦中的顳葉側部來協助記憶編碼作者發現該過程將病人回憶單詞的能力提升了15%。

大腦刺激影響行為和生理。

Youssef Ezzyatet al.

總體來看,這些結果表明鑒定低於正常水平的記憶編碼是可能的,且刺激顳葉側部能夠提高記憶力。該研究提供了一種治療記憶功能障礙等疾病的潛在治療途徑。


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