10nm驍龍670細節參數曝光：兩大核加六小核、支持UFS 2.1快閃記憶體

除了有望在月底推出搭載驍龍845晶元的三星S9、小米MIX 2S等新機，高通中端6系產品線的驍龍670也有進一步的資料曝光。

德媒WinFuture主編、知名爆料人Roland Quandt最新撰文披露了這款SoC的一些規格資料。

驍龍670基於10nm工藝製造，CPU部分設計為2顆Kryo 300系列Gold大核以及6顆Kryo 300系列Silver小核（基於Cortex A55），最高主頻2.6GHz，小核最高主頻1.7GHz。

這推翻了此前4+4的Big.Little設計，比較意外。同時，每核心內件2KB L1緩存，每個叢集享有128KB L2緩存。

GPU是Adreno 615，可以實現430MHz、650MHz和700MHz+調頻。

其他方面，快閃記憶體支持UFS 2.1和eMMC 5.1，基帶集成X20系列，下行速度追上驍龍835的水平，達到1Gbps。

此前我們已經見識過驍龍670 CPU性能，GeekBench 4跑分單核心超1860、多核心超5250，相比於驍龍660單核提升約10％，但多核心反而下降了10％。

最後，爆料人Roland Quandt稱，早先中國所謂數碼愛好者的泄露一派胡言，他拿到的信息基於高通的官方代碼文檔，可信度是極高的。

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