Brain：給大腦特定區域「撓癢」，可以提高短期記憶

健康 02-11

雖然大腦的電刺激正在成為廣泛的神經疾病和精神疾病的潛在治療方法，但是它對記憶的影響我們知之甚少。最近，梅奧診所的研究人員在《Brain》雜誌上發表一項研究成果，他們發現，用低強度電刺激大腦特定區域，可以改善言語短期記憶。

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在許多腦部疾病中，記憶障礙是一個普遍存在的問題，且藥物和行為療法在許多情況下效果甚微。

這次，梅奧診所神經學家、資深作者Gregory Worrell醫學博士帶領研究人員發現，通過刺激大腦的外側顳葉皮層(太陽穴和耳朵兩側的區域)，單詞記憶能力得到了增強——當低振幅的電刺激被傳送到大腦時，受試者可以回憶起更多的單詞。

「這項研究最令人興奮的發現是，我們對語言信息的記憶可以通過直接刺激這個未被開發的大腦區域而得到改善。」共同第一作者、梅奧診所Michal Kucewicz博士說，他把這種刺激比作「撓癢」。

Kucewicz及其同事將研究集中在大腦的四個區域：海馬體、海馬旁大腦皮層、前額葉皮層和顳葉皮層。這些區域可以支持大腦陳述性記憶。

進行記憶測試的受試者正在進行手術評估以解決癲癇發作。這些受試者同意使用植入他們大腦中的電極進行手術評估，以研究他們的記憶力。癲癇患者存在記憶問題是常見的，因為負責記憶功能的大腦迴路經常受到癲癇的影響。在這項研究中，患者被要求從電腦屏幕上閱讀一組單詞——每次一個單詞，然後電刺激之後，讓他們再回憶這些單詞。