驍龍5G晶元曝光：三星7nm LPP EUV工藝

2月23日消息，繼續本月初三星高通在各種技術領域和移動設備範圍達成多年戰略合作關係之後，高通宣布與三星電子擴大EUV製程工藝的代工合作，包括採用三星7納米LPP（Low Power Plus）EUV製程工藝製造未來驍龍5G移動晶元組。

去年五月，三星推出其首款採用EUV光刻解決方案的半導體製程工藝7LPP EUV。EUV光刻技術的部署預計將打破摩爾定律的壁壘，為單納米半導體技術的發展鋪平道路。

據悉，通過採用三星7LPP EUV製程工藝，驍龍5G移動晶元組的晶元尺寸可以變得更小，從而為OEM廠商即將推出的產品提供更多可用空間，以支持更大電池或更纖薄設計。工藝改進與更先進晶元設計的結合預計將帶來顯著提升的電池續航。

相較於其前代10納米FinFET技術，三星的7LPP EUV技術通過更少工藝步驟和更佳良率，不僅極大地降低了工藝複雜性，也帶來了高達40%的面積效率，同時實現10%的性能提升或高達35%的功耗降低。

Qualcomm Technologies, Inc.供應鏈及採購高級副總裁RK Chunduru表示：「我們很高興能夠與三星共同引領5G移動行業。通過採用7納米 LPP EUV，我們全新一代驍龍5G移動晶元組將充分利用工藝改進和先進的晶元設計，以提高未來終端的用戶體驗。」

三星電子代工業務銷售及市場執行副總裁Charlie Bae表示：「我們很高興擴大與Qualcomm Technologies的代工合作關係，在5G技術中採用我們的EUV製程工藝。此次合作是我們代工業務的里程碑，表明了對於三星領先製程工藝的信心。」

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