今日芯品：三星超大容量SAS固態硬碟投入量產高達30.72TB

最新 02-24

1.三星超大容量SAS固態硬碟投入量產高達30.72TB

2.Diodes 公司推出提供 USB 3.1/3.2 及 Thunderbolt 3 介面保護功能的超小型TVS

3.安森美半導體推出全新低能耗 USB-C 系列產品

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三星超大容量SAS固態硬碟投入量產高達30.72TB

2月20日，三星電子在官網宣布，該公司旗下的超大容量SAS固態硬碟已經進入量產狀態，該硬碟的型號為PM1643，其容量高達30.72 TB。

三星方面表示，這款硬碟是為下一代企業存儲系統而研發。它採用了三星最新的V-NAND技術，將32個1TB的NAND Flash存儲器結合在一起；而每一個NAND Flash存儲器都採用了16個V-NAND晶元堆層。由此，這款硬碟可以存儲5700部5GB的高清電影，而它的尺寸只有2.5英寸那麼大。

除了容量上的提升，PM1643的傳輸表現也有重大提升，幾乎是三星上一代超大容量SAS固態硬碟的兩倍。基於12Gb/s SAS介面，PM1643磁碟的隨機讀取速度和寫入速度分別達到了400000 IOPS和50000 IOPS，連續讀取速度達到2100MB/s和1700 MB/s；隨機讀取性能是傳統2.5英寸SATA SSD的4倍，而連續讀取性能是前者的3倍。

為了實現上述成果，三星在控制器、DRAM打包和協同軟體的設計方面進行了努力。

其中，PM1643採用了一個高效的控制器架構，它將9個上一代大容量固態硬碟所採用的控制器打包成一個；另外，它還採用了Through Silicon Via(TSV)技術，能夠互聯多個8Gb DDR4晶元，創建共計10個4GB TSV DRAM封裝，共計達到40GB的DRAM。這是TSV-DRAM技術第一次被應用於固態硬碟。當然在軟體方面，這款固態硬碟也提供了數據恢復、斷電保護等功能。

三星在今年1月份就已經開始了這款30.72TB SSD的初始量產，並將會在今年晚些時候將產品線擴展到15.36TB、7.68TB、3.84TB、1.92TB、960GB、800GB等版本。

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Diodes 公司推出提供 USB 3.1/3.2 及 Thunderbolt 3 介面保護功能的超小型TVS

Diodes 公司今日推出史上最先進的數據傳輸線瞬態電壓抑制器 (TVS) DESD3V3Z1BCSF-7。該產品適用於搭載差分訊號線路、頻率 5 Ghz 以上的先進系統單晶元，可為 I/O 埠提供優異的 TVS/ESD 保護，是 USB 3.1/3.2、Thunderbolt 3、PCI Express 3.0/4.0、HDMI 2.0a 及 DisplayPort 1.4 等高速介面不可或缺的組件。

現代化的 SoC 通常透過先進 CMOS 製程節點製造，更能承受 I/O 埠的瞬態電壓和靜電放電。傳統 TVS 裝置的輸入信道電容往往過高，容易降低高速訊號質量，因為訊號會在接收系統的邊界與 SoC I/O 埠的接頭之間移動。DESD3V3Z1BCSF-7 採用 Diodes 公司自有先進位程，實現超低輸入通道電容 (典型值 0.175pF)、低動態阻抗、低觸發/保持/箝位電壓，並採用超低電容的先進封裝。精心的設計造就極低的插入損耗，符合 USB 3.1/3.2 和 Thunderbolt 3 等高速介面的訊號完整性要求。

「隨著 USB Type-C 等先進介面日益普及，就愈有必要保護 Ghz 等級帶寬的先進 SoC 埠。為確保這些 SoC 和 USB Type-C 埠可靠運作，現在最需要的就是極小型的 TVS，它們能提供高水平的保護，而不影響高速訊號的完整性。」Diodes 公司事業部總監 Timothy Chen 博士如此表示。

除了超低輸出電容，DESD3V3Z1BCSF-7 亦提供優異的 ESD 保護，符合 IEC61000-4-2 最高±8kV 的空氣與接觸放電要求。本產品領先業界，實現箝位電壓 (IPP = 3A 的典型值 VCL = 4.5V)、擊穿電壓 (最大 VBR = 9V)、反向隔絕電壓 (最大 VRWM = 3.3V)的最佳組合，而在 8/20μs 的短路波形上的峰值脈衝功耗 (PPP) 為 25W。

DESD3V3Z1BCSF-7 採用超小型晶元級 X2-DSN0603-2 封裝，尺寸僅 0.6mm x 0.3mm，高度僅 0.3mm。

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安森美半導體推出全新低能耗 USB-C 系列產品

2018年2月22日 - 推動高能效創新的安森美半導體 (ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON) 宣布推出全新 USB-C（Type-C）系列器件，完全符合最新修定1.3規格，讓設計工程師輕鬆集成到 USB-C 系統。新器件包括兩個控制器和一個開關，專門針對智能手機、平板電腦和筆記本電腦等應用，以及工業和汽車領域的用例。

FUSB303 埠控制器可將當前系統和新系統轉換到 USB-C 介面，支持需要源（SRC）、匯（SNK）或雙角色埠（DRP）模式的應用。這款全新器件提供自動檢測功能，只需更少的處理器交互和固件支持，且提供靈活性和自定義選項。

移動和超便攜應用將得益於 FUSB303 卓越且領先同類的低功耗性能。在待機模式下，該控制器的功耗小於10微安（μA），採用了超薄（1.6 x 1.6 x 0.375 mm）QFN-12 封裝，比標準 CSP 封裝更輕薄，用於日益空間受限的設計中。

安森美半導體的 FSUSB242 是一款符合 USB-C 規格的埠保護開關，提供高壓和電涌保護。按照標準要求，埠保護開關允許將兩個 USB 源多路復用到公共 DP / DM 引腳，同時保持信號的完整性。該器件具有高壓保護功能，並提供符合 IEC 64000-4-5 規格之高達±20伏的電涌保護，無需使用外部瞬態電壓抑制器（TVS）。

FSUSB242 適用於移動應用，因它能耗低，其 WLCSP-9 封裝節省了電路板的空間，且無需外部 TVS。

FUSB302BV 是一款 USB-C 控制器，是專門設計用於汽車系統中供電（PD）方案。儘管其它方案僅適用於消費電子類應用，該器件通過了 AEC-Q100 認證，且可以進行檢測（包括連接偵測和方向檢測），所以成為更高效和靈活的產品之一。

有別於其他解決方案，FUSB302BV 通過 I2C 介面進行通信，且沒有集成一個微處理器。這確保了該器件符合汽車領域對於更低能耗和低自熱水平的要求。

安森美半導體產品營銷經理 Julie Stultz 表示：「我們 USB-C 產品此次的擴充包括了幾款領先市場的器件，使工程師能夠輕鬆快速地集成完全符合1.3規格的方案。這三款產品都成功地結合高性能與低能耗，與安森美半導體提供高能效方案的使命一致。超小的尺寸使其成為移動和超便攜應用的理想選擇，而通過 AEC-Q100 認證的 FUSB302BV 也體現我們在汽車 USB 方案領域跨出了重大一步。「

安森美半導體提供完整的 USB-C 產品組合以滿足設計需求。想要了解更多詳情，請訪問安森美半導體的 USB-C 方案。

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