美光發布基於64層3D NAND 的UFS 2.1：最大容量256GB

美光發布了符合UFS2.1標準的嵌入式產品，支持雙通道雙向讀寫，G3-2L介面可提供的傳輸速度是eMMC5.1的兩倍，滿足捕獲高解析度照片或錄製4K視頻存儲時所需的數據訪問速度需求，也可幫助智能手機製造商在人工智慧（AI）、虛擬現實、面部識別等方面提高用戶體驗。

美光新的UFS2.1產品是基於第二代64層3D TLC NAND技術，與前代TLC 3D NAND相比，美光新64層3D TLC NAND產品性能提升50%，而且在同樣晶元面積下存儲密度翻倍。

這些年，智能型手機快速迭代，尤其是高端旗艦機，再加上拍照、多媒體、下載、APP等應用需求的增加，存儲容量的需求隨之大增。為了更快、更有效地訪問數據，美光基於64層3D TLC NAND技術的UFS2.1新產品可提供高性能和低延遲，且在保證較小的尺寸的同時提供64GB、128GB和256GB三種容量選擇。

2016年蘋果iPhone7增加256GB容量，日前三星發布的Galaxy S9/S9+搭載的是8核高通驍龍845處理器，4GB/6GB Mobile DRAM，存儲容量也升級到了256GB，預計2018年將有更多的旗艦機配置256GB容量。隨著數據存儲需求的不斷增加，預計到2020年高端旗艦機存儲容量將由現在的256GB升級到512GB或1TB。

美光移動業務營銷副總裁Gino Skulick 表示：「我們都期待未來智能型手機迎來更多大膽的創新，為了順應這一趨勢，存儲將扮演著越來越重要的角色。美光不僅提供Mobile DRAM和3D NAND，我們領先的設計還可提供最先進智能型手機所需性能。」

CFM年度市場分析報告

喜歡這篇文章嗎？立刻分享出去讓更多人知道吧！