拼完屏幕拼內存，以後手機標配128G內存了

2018年全球移動通訊大會登場，應用於智能手機的AI計算、AR虛擬應用、身份識別、4K HDR影片錄製以及環繞音場等創新功能成為各大國際手機廠發表新機之亮點，為能滿足這些多媒體功能儲存需求，今年度的智能新機之內嵌式記憶體容量全面躍升至128GB、甚至是256GB的儲存容量等級。

本屆展會上，各大手機廠商紛紛推出新品，如三星今年上半的旗艦產品S9/S9+、以及沉寂已久的諾基亞一口氣就推出了四款新機，中興發布BladeV9/V9Vita，LG發布了兩款旗艦手機LGV30s和LGV30s+。

從各國際品牌手機廠2018年將推出的旗艦機種來看，非蘋果陣營的國際智能新機之內嵌式記憶體eMMC/eMCP的儲存容量規格提升至128GB，至於全球前兩大智能手機廠商主攻之旗艦新機則不約而同皆搭載256GB的UFS內嵌式記憶體，除了為2018年智能新機大容量儲存規格賽正式鳴槍開跑，亦同步宣告64層甚至更高層數的3D NAND Flash技術正式接棒成為快閃記憶體的主流製程。

業界認為，從快閃記憶體技術演進來看，當容量需求快速增加，甚至是倍增之時，2D的平面生產技術已不能滿足終端應用之需求。就2D之NAND Flash之限縮每個儲存單位、同時增加同一層儲存密度的微縮技術已逐漸接近物理極限，因此導致最高容量大多停留在128Gb(16GB)之容量水準。至於3D 之NAND Flash技術，則透過垂直立體堆迭儲存單元的方式，突破容量上限的瓶頸，其最高容量將可倍增至256Gb(32GB)，並可提升讀寫信息效能。

鑒於市場應用，再依據目前各大國際快閃記憶體製造大廠的3D NAND Flash製程演進來看，業內更看好，64層的3D NAND Flash將為今年最大的主流技術

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