高通Snapdragon邁向7納米 不到10年磨一劍

三星電子(Samsung Electronics)與高通(Qualcomm)近日宣布在新一代5G晶元製造商再續前緣，高通未來Snapdragon 5G晶元組將由三星7納米LPP極紫外光(EUV)製程生產，在英特爾(Intel) 10納米製程仍尚未推出之際，高通與三星已聯合要邁向7納米EUV製程時代，這除了標誌高通Snapdragon行動晶元問世以來，不到10年就已步入7納米里程碑，有助帶動5G更新世代行動裝置問世外，對三星來說也等於持續建立在晶圓製造領域先進位程領先競爭對手的優勢。

根據Fudzilla報導，高通不久前才宣布計劃推出7納米Snapdragon X24 Modem晶元，2018年將為客戶測試做好準備，此為至今所知首款公開發布的7納米晶元，高通並已送交三星製造。如今雙方再宣布的則是尚未命名的未來新款5G行動晶元組，三星也稱高通是其一大客戶。

若要進入7納米或5納米時代，采EUV製程將不可或缺，高通與三星在2018年就要實現，反觀英特爾10納米晶元仍未達標，因此很難想像2019年英特爾會推出準備就緒的7納米製程晶元，顯示高通與三星超前的現況。目前高通已出貨大量采10納米製程的Snapdragon 835晶元，將問世的新一代Snapdragon 845晶元同樣采10納米製程。

三星7納米LPP製程一大特色，在於可創造體積更小的行動晶元，讓手機OEM製造商在新款智能型手機等行動裝置設計上，能因此騰出更多零組件配置空間，有助內建更大容量電池、設計更輕薄化產品，以及有更多空間可內建天線等。未來5G行動裝置勢必需要內建部分額外天線，供5G補充新的頻率。

三星是在2017年5月不到一年前就宣布7納米LPP EUV製程，與三星相較，據傳台積電在7納米競賽上可能會稍遲。

值得注意的是，高通首款Snapdragon行動晶元QSD8650在2008年第4季推出，當時是采65納米製程，之後的Snapdragon 2及Snapdragon 3則從65納米躍進到45納米，再之後的Snapdragon 4則采28納米製程，Snapdragon 800、801及805也都同樣采28納米製造。

之後到了Snapdragon 808及810首度采20納米製程，Snapdragon 820及821時代則是高通首度採用14納米製程，當前的Snapdragon 835及845則為10納米世代，如今下一代Snapdragon 5G行動晶元組則準備邁入7納米製程。這一路從65納米邁向7納米的旅程，高通不到10年就走到，英特爾則是至今10納米晶元還未正式推出。

預期高通這款Snapdragon 5G晶元組可望內建更多晶體管，高通宣稱在相同晶粒空間中可提升達4成，性能則至少提升10%，功耗可節省達35%，藉此有助顯著提升行動裝置電池續航力。高通這款5G行動晶元是否即Snapdragon 855，可密切觀察。

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