2018，EUV量產衝刺

作為象徵下一代半導體光刻技術的EUV（極紫外光光刻設備）自問世以來，關於其能否量產始終在市場上飽受爭議。事實勝於雄辯。ASML在2017年初收穫的數十億歐元EUV設備訂單的消息，響亮地擊破了這些質疑，讓那些「EUV永遠不可能用於晶元製造」的懷疑論者集體啞火。

巨額訂單既是對ASML的充分肯定，同時也意味著我們對半導體行業要肩負起更加深遠的責任。全球頂尖的晶元製造商正在緊鑼密鼓地計劃著產品的更迭換代，他們寄希望於ASML的工程團隊儘快突破技術難關，儘早製造和輸出大批量的EUV設備。

EUV必須從R&D實驗室「畢業」，投身到工廠開展「工作」！

在2017年開始的數月里，ASML數以千計的工程師全情投入，取得了一個又一個里程碑式的突破。

首先，全尺寸無缺陷EUV光罩保護薄膜得以製成。這種保護薄膜比家用的保鮮膜要薄一千倍，在業內一直被認為是無法實現生產的。但在2017下半年，ASML團隊已證實全尺寸無缺陷的EUV光罩保護薄膜製造成功，且該薄膜已通過一系列測試，表明可承受大批量晶元生產所帶來的熱量和機械應力。

年中，我們完成了第二個突破。在ASML荷蘭Veldhoven工廠，EUV系統實現了每小時125片的晶圓產量。單位時間內晶圓產量的提升，意味著單台EUV可生產更多的晶元，這是評估EUV商業價值時被密切關注的一個指標。

在EUV項目初期就參與其中的ASML EUV服務和產品營銷副總裁Hans Meiling分享說：

「

第一台EUV原型需要超過21個小時才能曝光完成一片完整的晶圓，現在每小時就能完成125片晶圓的產量，這意味著目前EUV系統的運行速度已提高了2,600倍。

」

事實上，推動高產量的「背後英雄」是EUV光源的突破。ASML San Diego實驗室研究多年，已找到更加明亮的EUV光源來提供加速曝光晶圓所需要的能量。

ASML首席科學家Alex Schafgans說到：

「

我們並沒有按照原本規劃的方案走，之前我們計劃輸出更為強力的激光射線，但取而代之的，我們探索出如何更有效地將等離子體轉換為EUV光源。

」

2017取得的技術突破還包括更好的光學器件、全新的照明系統以及新感測器的使用。這一切都奠定了最先進EUV系統NXE:3400B的生產。2017 上半年，第一台NXE:3400B正式發貨，運向ASML的邏輯晶元客戶。

這台最新的EUV設備更好地改進了EUV和浸潤式系統的匹配屬性，這也是2017年收穫的另一里程碑。由於晶元製造商們計劃將EUV和浸潤式系統聯合應用於晶元上最具挑戰性的工藝步驟，所以這兩個系統上的成像位置必須非常匹配，以便將一個系統的圖層精準地套刻在另一個系統的圖層上。ASML最新的NXE：3400B和NXT：2000i已實現1.9納米的套刻精度。

與此同時，ASML的客戶支持和製造團隊也在不斷提高系統構建、運輸、安裝和後續服務的能力，以配合實現EUV設備出貨量的提高。2017年，ASML實現10台EUV的出貨量，而每台EUV的規格都好比一輛公交車的大小。2018年，我們預計EUV的出貨量將提高至22台。

客戶的主要工廠周邊，我們會設立辦公室，配備優質的工程師，掌握最新的產品和技術，為客戶提供EUV系統的全方位支持。

喜歡這篇文章嗎？立刻分享出去讓更多人知道吧！