DRAM 市場混戰：三巨頭只要利潤，英特爾找新歡，中國乘勢崛起

集微網消息（編譯/丹陽、樂川）近日，調研機構IC Insights警告，DRAM價格飛漲，中國後起之秀有望藉機而入緩解一直以來被壓抑的需求。

縱觀歷史態勢，DRAM市場是主要IC產品細分市場波動最大的部分。在過去2年，2016年DRAM市場就下跌了8%，到2017年又增長了77%，這就是一個很好的例子。

過去30多年來，DRAM的價格持續下跌，僅1978年到2012年的34年間，DRAM每比特的平均價格就以33%的年平均速度下降。然而，從2012年到2017年，DRAM每比特平均價格年跌幅縮小至3%。到了2017年，DRAM價格逆轉之前下跌態勢，反漲47%，創1978年以來最大增幅。

從DRAM位元數量增長看來，2016年DRAM位元數量增長達40%，2017年為20%。如圖1所示，從2017年5月到2018年1月的9個月里，DRAM位元數量年平均增長率僅為13%。2018年，DRAM位元數量成長幅度將維持在20%。

圖1還列出了從2017年1月到2018年1月期間每個月DRAM每千兆價格。如圖所示，DRAM每千兆位價格一直在急劇上漲， 2018年1月與2017年1月相比，價格上漲了47%。毫無疑問，電子系統製造商目前正在爭先恐後地調整和適應內存價格的飛漲。

DRAM通常被認為是一種類似石油的商品。和大多數商品一樣，產品需求具有彈性，這也就意味著價格提高會抑制需求，價格降低則會增加和創造新用途。例如，當油價處於低位時，許多消費者購買大型suv，因為對每加侖汽油的使用效率幾乎不用擔憂。然而，當油價上漲時，消費者通常會選擇較小的或替代能源(如混合動力或全電動) 汽車。

圖一

如圖1所示，從2017年1月到2018年1月期間，DRAM的每位元價格與位元數量年增幅之間的相關係數為-0.88。因此，雖然系統製造商並沒有因為價格上漲而在目前出貨的電子設備中減少DRAM的使用量，但有很多關於一些智能手機生產商在下一代機型上減少DRAM的傳言，將智能手機內置DRAM從5GB降至4GB。

IC Insights相信，在2018年，DRAM的主要供應商應該小心行事，如果讓股東更開心，會進一步疏離DRAM客戶群。如果初創的中國DRAM生產商能夠在未來幾年內推出一款具有競爭力的產品，DRAM的用戶可能會湧向這些新的供應商，試圖擺脫目前迫在眉睫的價格上漲壓力。目前的DRAM大廠可能會遭到慘重報復。

紫光與英特爾合作，能減少三年內存技術差距？

韓國媒體businesskorea近日披露，清華紫光正與英特爾合作開發3D NAND快閃記憶體晶元。據悉，根據雙方的合約，英特爾決定首先提供用於NAND快閃記憶體晶元的晶圓，然後再提供64層3D NAND快閃記憶體晶元。在英特爾的支持下，清華紫光的快閃記憶體產品不僅能夠提高在銷售方面的競爭力，還能提高其在市場上的品牌知名度。

這種快閃記憶體技術來自英特爾、美光合資的IMFlash，不過到明年初，雙方將結束合作，各自獨立優化自己的產品和服務，同時英特爾會把所持股份幾乎全部賣給美光，從中脫身。如果完全獨立勢必會大大影響產能和供應量，而當前快閃記憶體市場需求又持續高位，因此英特爾迫切需要一個新的夥伴。

而紫光是中國半導體行業發展中大力扶持的關鍵對象。未來五年，中國將在半導體行業投入1萬億元人民幣，目標是到2025年將半導體自給率提高到70％，紫光自然扮演著極為關鍵的角色。目前，紫光已經投資300億美元，在南京興建自己的內存、快閃記憶體工廠，還與建興聯合在蘇州興建SSD開發製造工廠。

英特爾在NAND晶元市場的份額排名第六，位於SK Hynix之後。英特爾去年通過重拾內存晶元業務，在20年前放棄該業務後再次進入市場，但仍具有很高的技術水平。該公司在2012年與NAND快閃記憶體市場份額排名第四的美光科技公司合作，並從去年開始生產64層3D NAND快閃記憶體晶元。英特爾目前正在開發96層3D NAND晶元。另外，IMFlash還在開發新一代96層堆疊3D快閃記憶體，並輔以10nm級別製造工藝，容量密度將比現在的64層提高一倍，未來也有望落戶紫光。

一些市場觀察人士表示，從今年年底開始生產32層3D NAND晶元的中國存儲器晶元生產商與韓國同行之間的技術差距為三年。這是因為三星電子公司已於2014年8月首次在全球範圍內批量生產32層3D NAND晶元，2015年8月份為48層3D晶元，2016年12月為64層晶元。更高層次和位元堆積的3D NAND晶元，就需要更高的技術水平。因此，單靠時間和精力並不能縮小技術差距。

但是，通過與英特爾的合作，中國有望迅速縮小技術差距，威脅包括三星電子在內的韓國內存晶元製造商。中國將能夠提前發布高性能3D NAND產品，預計在前兩至三年先推出低端產品。

市場研究公司Market Realist表示：「中國與英特爾的合作關係可能會導致供應過剩並危害整個NAND快閃記憶體產業生態系統。」韓國半導體行業的一位官員表示：「三星電子和SK海力士正在關注由於競爭對手的NAND擴張，市場狀況可能會變得更糟。這可能會增加全球投資機構的爭論，即NAND晶元的價格將大跌。「

除英特爾之外，中國還在尋求與日本東芝公司建立技術合作關係。東芝需要獲得中國反壟斷監管機構的批准，才能將其存儲晶元單元出售給由貝恩資本領導的財團，其中包括SK海力士。所以，中國正在利用這一點與東芝做出一種置換交易。業內人士認為，這種條件可能是中國可能要求東芝提供技術合作或產品供應。2016年內存價格飆漲以來，中國智能手機企業所需的半導體存儲器始終無法得到充足的供應，對此這些企業一直深表不滿。

題外：

兩年來存儲行業的強勢價格走勢，已經極大地影響了國內智能手機產業乃至整個IC 晶元行業的發展。現在不論是資本方、產業鏈還是終端的消費者，對內存相關的消息都異常地敏感和警惕。最近西安紫光國芯的DDR4 內存晶元就引起了大家極大的關注。

國產半導體存儲產業的進步，意味著以規模效應為特徵、背後有著強力國家支持的力量進入了這個產業，對內存產業的整體發展無疑是有相當促進作用的，畢竟現在這個行當已經幾乎進入了寡頭競爭態勢中。從普世科技進步的動力出發，許多人，許多中國人，都對國產內存的進步迭代樂見其成。另一方的觀點則認為，國產內存在高頻特性、兼容性等方面都可能面臨相當的困難，是否能夠吸引到足夠多的客戶，盈利空間和定價競爭力都需要經受考驗，未必能對市場產生足夠大的影響。

無論是對早前傳出烏龍消息的失望，還是被證實DDR4 顆粒經過CPU-Z驗證的欣喜，乃至淘寶店鋪上渠道方面的爭論，讀者的心都跟著接踵而來的消息不斷起伏。對於以紫光為代表的國產內存，甚至包括整個國內半導體產業，互聯網上的評價並不統一，伴隨著不斷推翻的新聞的，是業內人士樂觀與悲觀激烈對立交替的情緒。

校對/樂川

圖源/網路

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