上海新陽擬成立控股子公司研發193nm高端光刻膠技術

3月14日，上海新陽發布公告稱，擬與合作方共同投資設立子公司「上海新納微電子材料有限公司」（最終名稱以實際工商登記為準，以下簡稱「新納微電子」）開展 193nm（ArF）干法光刻膠研發及產業化項目。

公告顯示，該項目計劃總投資2億元人民幣，資金來源為項目發起單位自籌。

項目公司位於上海市松江區思賢路3600號上海新陽半導體材料股份有限公司現有廠區內，註冊資本為1億元，上海新陽以現金出資8000萬元，佔新納微電子股權的80%；鄧海博士技術團隊出資2000萬元，佔新納微電子股權的20%。

新納微電子股權結構表

在集成電路製造部分，儘管光刻工藝的成本約為整個晶元製造工藝的35%，並且耗費時間約佔整個晶元工藝的40%-50%。

光刻膠材料約佔IC製造材料總成本的4%，擁有很大的市場前景。但同時，光刻膠產品在集成電路材料中的技術難度最大，質量要求最高。

尤其是本項目所要開發的 193nm(ArF)高端光刻膠在國內一直是空白，技術和產品一直掌握在國外幾大專業廠商手中，國內有多家公司和科研機構歷經多年開發與探索，始終未能突破。

公告稱，本次對外投資通過組建與集成電路行業國際先進水平接軌的技術和管理人才團隊、開展研發高端集成電路製造用 193nm干法光刻膠研發與產業化項目，形成規模化生產能力，填補國內高端光刻膠材料產品的空白，豐富公司半導體材料產品線，為經營業績的提升打下基礎，為中國半導體產業的長遠發展做出貢獻。

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