內存條是什麼？

對，我又來科普了

內存有很長一段歷史，早在286之前就有，只不過不是以如今模塊化的形式存在。這裡主要講DDR時代之後的內存。

整理了收集的資料，這期主要偏向一些名詞的解釋以及科普。我會從內存的介紹、組成、內存顆粒、內存規格、內存容量、內存頻率、內存時序、這幾方面來簡單科普內存條。

在開始之前先解釋幾個名詞：

1.ROM

ROM是Read-Only Memory的簡稱，意思是只讀存儲器，是一種只能讀出事先所存數據的固態半導體存儲器，其特性是一旦儲存資料就無法再將之改變或刪除。

2.EEPROM

EEPROM是Electrically Erasable Programmable Read Only Memory的簡稱，意思是電可擦可編程只讀存儲器，並且EEPROM 可以在電腦上或專用設備上擦除已有信息，重新編程。

3.RAM

RAM是Random Access Memory的簡稱，意思是隨機存取存儲器（有點拗口是不是？[二哈]），它可以隨機讀寫，並且速度很快。相比ROM，缺點是斷電後會丟失數據。RAM按照存儲單元的工作原理又分為靜態隨機存儲器（SRAM，Static RAM）和動態隨機存儲器（DRAM，Dynamic RAM）。

4.Cache

Cache是高速緩衝存儲器的意思，它是一種比一般RAM還要快，並且昂貴的RAM。也就是上面提到的SRAM。

5.DDR

應該叫DDR SDRAM（Dual Data Rate SDRAM），意思是「雙倍速率SDRAM」。這是上一代SDRAM的升級版，也是DDR時代的開始。

6.RDRAM

RDRAM是Rambus DRAM的簡稱。與DDR和SDRAM不同，它採用了串列的數據傳輸模式，並且不能單條使用，最後成為DDR的墊腳石。

7.定址空間及定址

定址空間，意思是CPU對於內存定址的能力，就是能最多用到多少內存的一個問題。CPU為了訪問數據需要確定它們的地址，而找到地址，完成數據的讀寫的過程就是所謂的「定址」。

一：內存是什麼？

內存又稱為主存，是CPU能直接定址的儲存空間，由半導體器件組成。簡單來說，內存就是暫時存儲程序及數據的地方。舉個例子：比如你在編輯文檔，打出來的字會先存放在內存，當你點擊保存時才會存放進硬碟。

二：內存條的組成

內存主要是由內存顆粒、PCB電路板、金手指、SPD等組成的。內存條還會設置一個防呆口，就是金手指中間的缺口。

PCB是Printed Circuit Board的簡稱，意思是印刷電路板，一塊良好的PCB可以保證良好的電氣性能。

金手指（Connecting Finger）則是作為內存條與插槽的連接部件，所有的信號都是由金手指進行傳送。

SPD是Serial Presence Detect的簡稱，意思是串列存在探測，它由1個8針SOIC封裝、容量256位元組的EEPROM晶元。其中記錄了內存的速度、容量、電壓與行、列地址帶寬等參數信息。

三：內存顆粒

用於儲存信息的晶元，一般為DRAM。而內存顆粒的好壞關係到內存條的工作時序、頻率、穩定性以及超頻潛力。內存顆粒比快閃記憶體顆粒更加混亂，這裡只作簡單介紹。

內存晶元一般分原廠、白片、次品三種。

原廠：Major band或者簡稱Major，原廠顆粒，列印晶元原廠標識。

白片：大多數只打一行序號，少數不打字。白片也分為ett（effectively tested，通過有效性測試的顆粒）和utt（untested未經測試，但實際上最基本的物理測試還是做的）等其他級別。

次品：Downgraded，一般不會打字。

能獨立生產DRAM顆粒的廠商不多，主要有：三星、鎂光、東芝、海力士、爾必達（破產被鎂光收購）、OCZ（破產被東芝收購）、南亞易勝、以及前陣子很火的紫光國芯。

四：內存規格

自DDR時代起，內存的規格有

DDR：第一代DDR200、第二代PC266 DDR SRAM、第三代DDR333、第四代DDR400、第五代DDR533，那個年代DDR內存戰勝RDRAM開啟了DDR王朝。

DDR2：DDR內存開啟了DDR王朝，而DDR2則是開始演繹內存領域的今天。相比DDR，DDR2採用了新的FBGA封裝形式，工作電壓下降至1.8v，預存取從2bit增加到4-bit，並且引入了CAS、OCD、ODT技術規範和中斷指令，運行效率更高。

DDR3：與DDR2相比，DDR3作了許多新規範，工作電壓降至1.5v，預存取從4-bit增加到8-bit，引入了CWD、Reset、ZQ、STR、RASR等技術。

DDR4：DDR4不同於前幾代提升預存取位數，轉而提升BANK數量，這也算是變相地提升預取位寬了。電壓降至1.2v，頻率從2133起步。目前DDR4已經很大程度上取代DDR3了。（不過因為現在全球DRAM供應緊張，DDR3倒像是強行續了一波[二哈]）

五：內存容量

即內存的儲存空間大小，容量越大可預讀或臨時存儲的數據量就越多。當內存容量佔滿後會等硬碟保存部分數據以騰出內存空間存放新的臨時數據，從而造成系統卡頓。

六：內存頻率

內存頻率分時鐘頻率、核心頻率、以及等效頻率（需要詳細資料可以參考

http://blog.sina.com.cn/s/blog_67f88caf0101f7b5.html

），我們所說的頻率一般指等效頻率（也稱數據頻率）。頻率一般用來表示內存的運行速度，單位以兆赫（MHz）來計量。內存頻率越高，表示該內存性能越強。

七：內存時序

內存時序是描述內存條性能的參數，與內存頻率一樣，一定程度上代表了內存的性能。

而內存時序以一般數字A-B-C-D來表示，它們分別對應CL（CAS）- tRCD – tRP – tRAS這幾個參數。它可以通過BIOS進行調節，在保證穩定性的前提下，理論上內存時序越低越好。（理論上[二哈]）

那麼它們分別是什麼意思呢？

CL（CAS）：列定址所需的時鐘周期（表示延遲的長短）。

tRCD：行定址和列定址時鐘周期的差值。

tRP：在下一周期之前，預充電需要的時鐘周期。

tRAS：對某行的數據進行存儲時，從操作開始到定址結束需要的總時間周期。

時序可以做為內存性能的參考，不過主要還是看頻率。

番外：虛擬內存

虛擬內存是計算機系統內存管理的一種技術。它使得應用程序認為它擁有連續的可用的內存（一個連續完整的地址空間），而實際上，它通常是被分隔成多個物理內存碎片，還有部分暫時存儲在外部磁碟存儲器上，在需要時進行數據交換。簡單來說就是系統將一部分硬碟空間劃分為內存使用。

當然這部分空間不是越大越好，虛擬內存過大，既浪費了磁碟空間，又增加了磁頭定位的時間，降低了系統執行效率，沒有任何好處。

看到這裡，大家應該對內存有一個簡單的概念了。

PS：內存涉及到內容很多，整理這些資料花了不小的功夫，也比想像中複雜，有疏忽或者錯誤的地方，歡迎提出並指正。

最後的最後，有疑問可以留言或者聯繫我哦，互相交流學習

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