來源：內容來自「 中央社」，謝謝。

力晶科技成功轉型晶圓代工廠，5年來共賺進新台幣485億元，平均一年賺97億元。

力晶過去主要生產動態隨機存取記憶體(DRAM)，在經歷2007年與2011年DRAM產業2次景氣寒冬，力晶因財務危機，面臨股票下櫃窘境。

為求轉機，力晶轉型晶圓代工廠，除為記憶體模組廠金士頓與記憶體設計廠晶豪科代工生產記憶體，在面板驅動IC、管理晶元及影像感測晶元代工領域也有不錯成果。

力晶自2013年營運轉虧為盈以來，已連續5年獲利，去年歸屬母公司凈利80.8億元，每股純益3.54元，為國內獲利第2高的晶圓代工廠；力晶5年來共獲利485億元，平均一年賺97億元。

力晶繼去年恢復配發股利後，今年預計每股配發1.2元現金股息及0.5元股票股利。

隨著與金士頓委託代工合約期滿，力晶自金士頓買回設備，帶動今年來業績穩健成長，前2月營收87.42億元，年增19.79%，法人預期，力晶今年營運應可更上層樓。

從DRAM廠到晶圓廠的轉型

力晶於1994年十二月創立於新竹科學園區，早期專註於動態隨機存取記憶體之生產，逐步擴及及晶圓代工及Flash生產，並以大陸終端客戶為主要營收來源。公司自2010年9月14日起，減資暨更名為「力晶科技股份有限公司」，代碼簡稱：5346力晶。2012年12月11日因凈值轉為負數，自櫃買中心下櫃，股票停止買賣。

公司在生產動態隨機存取記憶體製程技術以三菱電機既有的技術為基礎，與日本的DRAM大廠Elpida締結策略聯盟，共同研發尖端DRAM技術。公司也和Renesas等國際大廠合作，開發生產高容量快閃記憶體（Data Flash），以期成為國內最大之全方位記憶體公司。在邏輯代工製程技術方面，自日本三菱公司引進0.25微米／0.18微米／0.15微米邏輯代工製程技術，並建立相關製程的設計資料庫及IP，以及開發Mixed-mode 、CIS等產品，以協助客戶順利量產新世代產品。代工業務主要為轉投資的8吋廠巨晶電子。公司成立初始即鎖定日本三菱為策略合作夥伴，不斷引進日方技術提升製程能力，已成為國內最大動態隨機存取記憶體廠商。

力晶2008年第二季將產能全數轉換為70nm製程，65nm製程於第三季進入量產。

2009年獲金士頓及力成金援1.25億美元，以等值瑞晶股票作扺押，以解決財務缺口壓力。

2009年主流製程為65 納米製程，雖持續進行製程微縮，但在2010年，仍無法負擔製程轉換的成本，因此生產成本與競爭對手差距仍大。

2009年底凈值約3元。

2011年4月，與Elpida達成的DRAM產銷新協議，使公司的專利授權、技轉費用降低，並無償取得Mobile DRAM技術及銷售權，結合自行開發的NAND快閃記憶體技術，將針對高速成長的行動應用（Mobile Applications）新市場，提供完整的記憶體產品組合。

力晶積極轉型為晶圓代工廠，以及加重行動型記憶體、快閃記憶體及代工業務營收，降低標準DRAM。

截至2011年11月產品比重方面，晶圓代工佔60%、DRAM佔30%、Nand Flash佔10%。晶圓代工領域包括LCD驅動IC、CMOS Sensor、類比IC、電源管理IC。

P3廠成為Flash與DRAM共同生產的12吋廠，月產能約11萬片。自2012年1月1日起，NAND Flash的投片量將正式超越DRAM，且DRAM投片產能將永遠性的降低至20%以下，約當2萬片。

DRAM製程方面，2012年將全部由40納米轉換至30納米，且均生產4G產品。

產能配置方面，至2012年1月晶圓代工每月投片量拉升至6萬片，標準型DRAM投片約2萬片，Nand Flash約6000千片。

2012年資本支出約20億元至30億元。

2013年四月，力晶P3廠約月產能2萬片12吋廠設備及生產線由金士頓標下，並由力晶代工。

2014年6月，轉投資LCD驅動IC廠瑞力被Synaptics併購，力晶出售所有持股後，預期獲利約36億元，且與Synaptics達成協議維持合作關係，Synaptics在整合LCD驅動IC及觸控IC的單晶元，將交由力晶生產。

另外，公司規劃每股凈值回升至10以上，且還清銀行負債後，再重新掛牌上。

喜歡這篇文章嗎？立刻分享出去讓更多人知道吧！