格芯擴展硅光子路線圖，滿足對數據中心連接的爆炸式增長需求

光子集成技術有助於提升新一代光學互連的帶寬和能效

3月14日，格芯揭示硅光子路線圖的新信息，推動數據中心和雲應用的新一代光學互連。格芯已經用300mm晶圓認證了行業首個90nm製造工藝，同時宣布未來的45nm技術將帶來更大的帶寬和能效。

格芯的硅光子技術旨在應對全球通信基礎設施中的大規模數據增長。不同於利用銅線電信號傳輸數據的傳統互連，硅光子技術使用光纖光脈衝，以更高的速度在更遠距離上傳輸數據並降低能耗。

「帶寬需求呈現爆炸式增長，現在迫切需要新一代的光學互連。」格芯ASIC業務部高級副總裁Mike Cadigan表示，「不管是數據中心內部晶元之間，還是相隔千里的雲伺服器之間，我們的硅光子技術都能讓客戶在前所未有的連接水平上傳送大量數據。」

格芯的硅光子技術可在單個硅晶元上並排集成微小光學組件與電路。「單晶元」方案利用標準硅製造技術，提高了客戶部署光學互連繫統的效率，降低了成本。

現在可使用300mm晶圓

格芯的當代硅光子產品依託90nm RF SOI工藝，這項工藝充分發揮了公司在製造高性能射頻(RF)晶元方面積累的一流經驗。平台可以實施提供30GHz帶寬的解決方案，支持客戶端數據傳輸速率達到800Gbps，同時使數據傳輸距離增加到120km。

這項技術先前使用200mm晶圓工藝，格芯位於紐約州東菲什基爾的10號晶圓廠現在認證了300mm直徑的晶圓。採用300mm晶圓有助於提高客戶產能和生產率，讓光子損失減少2倍，擴大覆蓋範圍，實現效率更高的光學系統。

Cadence Design Systems公司用於E/O/E、協同設計、極化、溫度和波長參數的完整PDK支持90nm技術，並提供差異化光子測試能力，包括從技術認證和建模到MCM產品測試的五個測試部分。

未來路線圖

格芯新一代單晶元硅光子產品將採用45nm RF SOI工藝，計劃於2019年投入生產。這項技術利用更先進的45 nm節點，功耗降低，體積減小，用於光學收發器產品的帶寬更高，可滿足新一代兆兆位應用。

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