傳東芝將再建2座NAND廠房；三星擴大晶圓代工業務；Q2Server DRAM價格將持續上揚！

第二季Server DRAM價格將持續上揚

2018年第一季度，伺服器內存（Sever DRAM）廠商為確保32GB RDIMM的模組銷量，報價上增長幅度維持在4%左右。

而根據集邦諮詢旗下半導體研究中心（DRAMeXchange）預計，受中國伺服器標案與代工需求升溫的影響，第二季度伺服器內存價格將依然保持上漲趨勢。

隨著智能終端的普及，以及Google、Facebook等企業對伺服器數據中心需求的增加，雲計算和雲存儲備受業界青睞。

為應對全球伺服器用內存與數據中心需求的提升，目前，全球三大DRAM原廠做出產能調整規劃，計劃在今年下半年提高先進位程產出佔比。

其中，韓國DRAM廠商為提升64GB容量以上模組的滲透率，已經計劃從今年第三季開始量產高容量的16Gb mono die。

此外，從今年下半年開始，伺服器內存的17/18納米製程在高容量晶元產品的比重也將逐漸提高，加上成本結構的改善，這一系列的因素都將加快下半年高容量模組的轉換速度。

DRAMeXchange資深分析師劉家豪認為，中國區將成為第二季度全球伺服器出貨量表現最為亮眼的地區，增長幅度約為20%。

至於伺服器用內存合約價漲幅，則會在各大晶圓廠加速新平台導入以及高容量模組轉進的情況下，較去年有所收斂。

傳東芝考慮興建2座NAND新廠房

近日有消息稱，為進一步追趕市佔龍頭三星電子，東芝計劃旗下半導體事業子公司「東芝存儲器（TMC）」在未來5年內再追加興建2座採用3D NAND架構的NAND Flash新廠房，即四日市工廠「第7廠房」及北上工廠「第2廠房」。

有消息稱，四日市工廠「第7廠房」的設備投資將超過3萬億日元，而東芝在考慮尋求合作夥伴西數（Western Digital，「WD」）協助負擔費用，目前已經開始進行土地收購協商。

一旦確認該消息屬實的話，加上目前在日本四日市工廠廠區內興建的「第6廠房」，以及規劃在2018年動工的日本岩手縣北上市的新工廠，這意味著未來5年內，東芝將有4座新產房啟動。

此前，在就出售TMC事宜達成和解之後，東芝和西數計劃重新啟動四日市新廠房的共同投資興建，預計在今年夏天啟用生產。

至於岩手縣北上工廠，東芝此前宣布，將斥資70億日元在日本岩手縣購買土地興建快閃記憶體工廠。

DRAMeXchange也曾指出，東芝岩手縣北上市工廠主要投產96層以上的3D-NAND Flash，而量產時程則將落在2019年下半年之後。

聯發科建亞洲最大晶元設計中心

近日，在收購高通失敗之後，市場傳出，賽靈思、Cirrus Logic、以及聯發科將成為博通下一個收購目標。甚至有媒體報道稱，博通與聯發科的高層已經見面。對此，當事方聯發科表示，未曾與博通就併購一事進行接觸或洽談。

事實上，聯發科不僅沒有與博通就收購事宜進行接洽，而且其正在兌現持續投資中國台灣的承諾，計劃擴大竹科總部的運營。目前，竹科新總部大樓中心已於3月22日舉行了上樑典禮。

據科技新報報道，聯發科竹科新總部預計在2019年建成，將打造亞洲最大的晶元設計高速運算及資料中心。未來將聚焦IC晶元設計、雲端物聯網運算需求，同時支持人工智慧高端晶元、車用電子等領域的研發工作，中心可以容納超過3萬台高速運算伺服器。

眾所周知，隨著人工智慧的快速發展，聯發科也正在全力布局AI晶元領域。如果說此前推出的首款AI晶元已經向外界展示了其強大的研發實力，那麼這次建立亞洲最大的晶元設計中心無疑展現了其未來積極投資布局AI領域的決心。

三星擴大晶圓代工業務

2017年5月，三星正式將晶圓代工業務部門從系統LSI業務部分拆出來，並成立三星電子晶圓代工部門。

三星的目標是在5年內將晶圓代工市佔率提升至25%，並成為全球第二大晶圓代工廠。

此前，三星的晶圓代工業務主要集中在嵌入式快閃記憶體（eFlash）、電源、顯示器驅動IC、圖像感測器等領域。

不過這樣的策略顯然不足以支撐三星實現全球第二的目標，為進一步擴大晶圓代工市佔版圖，三星在周三宣布，擴大晶圓代工業務，並將物聯網（IoT）、和指紋識別納入其代工範疇。

據悉，三星的物聯網和指紋識別代工服務將主要由三星旗下位於韓國京畿道的8英寸晶圓廠「Line6」為客戶提供，該工廠可提供65納米到180納米製程的晶圓代工服務。

根據集邦諮詢旗下拓墣產業研究院此前的預估，晶圓代工獨立之後，三星在晶圓代工領域的市佔率將從此前的8.8%大幅提升至19.8%。

這離三星25%的目標僅差5.2%，而這對半導體大廠三星而言並非難事。加上此次代工業務的拓展，無疑將進一步幫助三星快速實現該目標。

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