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新生代3D TLC快閃記憶體NVMe SSD橫評

隨著浦科特M9PeY 512G和Intel760p 512G評測的進行,我們有機會了解到最新一代3D快閃記憶體的誘人性能。為全面對比和展現當代最新3D快閃記憶體NVMe固態硬碟在使用中的表現,PCEVA決定加入三星960Evo 500G,湊齊三大原廠3D TLC快閃記憶體橫向對比。

硬體概覽:

以下GIF動圖展示浦科特M9PeY 512G、Intel 760p 512G、三星960Evo 500G的拆解過程,硬體解讀詳見各產品評測。

浦科特M9eY 512G:Marvell88SS1093主控+東芝64層堆疊3D TLC

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Intel 760p 512G:SM2262主控(定製版)+英特爾64層堆疊3D TLC

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三星960Evo 500G:Polaris主控+三星48層堆疊3D TLC

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硬體規格對比:

持續與隨機讀寫參數以及保修信息來自各自官網,可用容量取實測格式化容量。除三星960Evo之外,另外兩款固態硬碟都給予了5年保修。

關於寫入量對保修的影響,PCEVA查閱了各家官網的信息。浦科特的描述較為模糊,僅提到「快閃記憶體寫壞不保「,並未對寫入量做出強制要求;英特爾表示SMART信息中「使用百分比」屬性達到100後保修終止,實際以760p來看,使用百分比是由主機寫入量/官標寫入量計算而來,即按照TBW限制保修;三星則明確指出保修以年限或寫入量中先到者為準。總體來看浦科特的售後條款最為寬鬆,對使用量大的消費者較為有利。

測試平台:

主板:華碩ROG STRIX Z270F Gaming

內存:影馳Gamer II DDR4 3000 8GB*2

硬碟:金士頓HyperX Fury 240G(系統盤)

浦科特M9PeY 512GB(FW:1.02)

Intel 760p 512G(FW:001C)

三星960Evo 500G(FW:3B7QCXE7)

系統:Windows 10 Pro 1709,16299

驅動:系統默認stornvme

基準測試

每項測試以GIF動圖輪流顯示浦科特M9Pe512G、Intel 760p 512G、三星960Evo500G測試數據,在基準測試末尾以表格綜合整理對比各項測試數據。

基準測試1:TxBENCH測試

浦科特M9Pe和Intel 760p兩個型號作為後來者,在讀寫速度指標上都瞄準了960Evo。在TxBench測試中,Max區塊的值在各張盤上表現不一,浦科特M9Pe為128K,Intel 760p為256K,三星960Evo為2048K,在持續讀寫項目上三張盤幾乎是各跑各的內容,最終持續讀取還是以三星960Evo最快,持續寫入則是浦科特M9Pe技高一籌。

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基準測試2:PC Mark 7測試

PC Mark 7並沒有專門針對NVMe做優化,所以在測試前必須確認關閉寫入緩衝區刷新。PC Mark 7存儲測試成績包含基準分和RAW分兩項,基準分還原硬碟對實際應用運行速度的影響,RAW分則是刨除CPU影響,減去回放記錄中的全部空閑時間,讓固態硬碟跑極限性能。在某些低端SATA介面TLC固態硬碟上,有時會出現RAW分比基準分低的情況,說明該盤的SLC緩存外處理性能很差。

PC Mark 7存儲測試基準分和RAW分都是浦科特M9Pe最高,Intel 760p屈居第二,三星960Evo最末。

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基準測試3:PC Mark 8測試

PC Mark 8存儲測試是PCMark 7的延續,除了測試項目更新為最接近當前用戶使用的情景之外,所有測試回放記錄為1:1完整還原,不再將最小間隔統一壓縮至20ms,完整的回放使得測試精準度更高,當然測試的時間也由十幾分鐘延長到一個小時以上。

浦科特M9Pe 512G的PCMark 8存儲測試取得5094的高分,接近於M8Pe安裝合適驅動優化後的5099。Intel 760p和三星960Evo的成績接近,分別為5075和5074,依然是三星960Evo最低,但和Intel 760p差距非常小。

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基準測試4:PC Mark 10應用啟動測試

PC Mark 10目前並沒有獨立的存儲測試,它的應用啟動測試不僅與硬碟性能相關,更與電腦CPU、內存等硬體配置,以及操作系統版本、設置以及驅動程序、應用程序環境等變數相關。為了保證數據具備充足的說服力,三次測試使用經過克隆產生的系統盤,保持軟硬體環境完全一致,測試平台斷網並在開機後至少保持20分鐘閑置再開始測試。

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單從總分來看,Intel 760p 512G>浦科特M9PeY 512G>三星960Evo 500G,分別來看程序冷啟動速度對比:總需時候低於1秒的兩個項目760p最快,總需時高於1秒的兩個項目M9Pe最快。

程序熱啟動速度對比:熱啟動由於存在系統緩存等影響,不同SSD間差異縮小,但浦科特M9Pe與Intel 760p依舊領先於三星960Evo。

基準測試5:SLC Cache測試

浦科特M9Pe 512G和Intel760p 512G都是無二級OP設計的TLC固態硬碟,SLC緩存容量均來自一級OP預留空間,二者SLC容量相近,都在5.5GB左右。三星960Evo擁有額外的二級OP,並且會在用戶空間使用率低於7成左右時主動借用部分用戶空間模擬SLC,所以它的SLC緩存容量實際會在4GB到22GB之間可變。

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在詳細的測試當中,PCEVA還發現浦科特M9Pe和Intel 760p不約而同了使用了一種全新的SLC緩存策略,這種策略會產生很多影響,具體介紹請等待PCEVA稍後的獨立分析報告。

基準測試成績整理如下:

進階測試

進階測試項目1:混合讀寫理論測試

混合隨機讀寫比單純的持續或隨機讀寫都更貼近實際使用中固態硬碟的負載情況。不過從根本上來說,混合讀寫測試依然是一項理論帶寬測試。

使用IOMeter進行8GB LBA範圍的混合讀寫測試,分別測試4K混合隨機讀寫(70%讀取佔比)和128K混合持續讀寫(70%讀取佔比)兩種情況:

進階測試項目2:4KB QD32 隨機寫入離散度測試,時間5000秒。

無文件系統下使用IOMeter進行128KQD32持續寫入半小時,空閑15分鐘後改用4K QD32隨機寫入5000秒並每秒記錄。雖然三張固態硬碟都是TLC快閃記憶體,但緩存外的持續寫入速度均在500MB/s以上,超越了SATA介面上限。緩存外持續寫入過程中三者寫入速度均比較穩定,Intel 760p沒有出現上代600p的大幅波動現象。

在128K持續填盤過後進行4KQD32隨機寫入5000秒,Intel 760p的寫入離散度表現較差一些,這是SMI主控的傳統劣勢項目。

浦科特M9Pe和三星960Evo的離散度表現接近,三星960Evo的IOPS更高一些。

進階測試項目3:PCMARK 8擴展存儲測試之性能一致性部分(穩定態家用環境性能)

這個測試主要是給家用最惡劣環境下的性能參考(全盤不留任何剩餘空間,禁用了Windows文件系統緩存跑純RAW模式)。

Intel 760p在穩定態下的存儲帶寬表現和三星960Evo不相伯仲,而浦科特M9Pe在這裡遇到了TrueSpeed的弱點,面向日常應用的GC策略不太適合接受這種極端使用方式的考驗。

總結:

浦科特M9Pe、Intel 760p和三星960Evo均是當前3D TLC快閃記憶體中性能最優秀的代表,M9Pe特和760p使用了當前最先進的64層堆疊3D快閃記憶體,而三星消費級固態硬碟剛剛發布了SATA介面的860Evo/860Pro,在NVMe產品線中尚未更新到64層堆疊3D快閃記憶體。

三張參與橫評的固態硬碟當中,浦科特M9Pe面對另外兩家快閃記憶體原廠競爭者,豪奪持續寫入與PC Mark 7、PC Mark 8三大項測試成績最佳,其中兩項PC Mark存儲測試的含金量相當高,代表了固態硬碟對日常辦公、遊戲娛樂與媒體創作應用的影響。雖然從主控到快閃記憶體都不是自產自銷,M9Pe還是憑藉過硬的固件優化與東芝正片快閃記憶體的底子取得了不俗的成績。

Intel 760p是在600p的基礎上更新換代而來,SM2262主控和第二代3D TLC快閃記憶體的良好搭配,彌補了600p中快閃記憶體通道的不足,同時開啟了Copy Back解決SLC緩存外性能問題。Intel 760p的單線程4K隨機讀寫性能在消費級NAND快閃記憶體固態硬碟當中首屈一指,同時還是PC Mark 10應用啟動速度綜合最佳,在低延遲優化上實力不俗。

三星960Evo上市已有一年多的時間,差不多到了更新換代的時間。作為曾經的性能標杆級產品,960Evo在很多項目中面對新生代競爭者已然是心有餘而力不足。除了在理論跑分中取得零星優勢之外,實用性能在當前已顯過時。

隨著64層3D快閃記憶體的加速普及,240G成為入門容量,480/512G則成了新的性能甜點,這也是PCEVA選擇512G作為橫評目標的原因。如果你對性能充滿渴望,同時又希望容量上比傲騰更為實用,64層堆疊的3D快閃記憶體NVMe固態硬碟將是你的不二之選。

從家用遊戲娛樂角度來看,浦科特M9PeG 512G(京東1499元)的性價比無疑出色。Intel 760p 512G(京東1599元)目前是缺貨狀態,以256G銷售為主。三星960Evo(京東1699元)價格虛高,待970上市後降價清倉,才可能等到短時的價值回歸。

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