科技:Semicon化合物半導體紀要:確認趨勢性機會
要點
我們於3月15-16日參加了Semicon China 2018功率及化合物半導體論壇。會議邀請了IQE、錼創科技、Sony、Lumentum、北方華創、能訊半導體等產業鏈上下游公司,探討了GaAs、GaN以及SiC未來在微波、電力電子、光電等領域的應用以及發展方向。通過這兩天的會議,1)我們重申AI、5G以及汽車電動化將成為化合物半導體行業結構性的成長機會;2)同時,以GaN及SiC為首的第三代化合物半導體在高頻率高功率的帶動下將進入高速發展階段。
建議
無線通訊、光電、以及功率市場將成為化合物半導體三大主流應用場景:我們在2月7日發布的報告《化合物半導體的全球投資機會:AI、5G、電動車帶動結構性增長》中,對於主要化合物半導體應用市場,包括LED、智能手機用PA、VCSEL以及電動汽車用功率器件進行了市場規模測算。我們認為相關應用的整體市場規模將從2017年的296億美元增長到2025年的673億美元。通過這次會議,我們也確認了化合物半導體的市場規模未來將有數倍的成長空間。
高頻率、高功率將驅使第三代化合物半導體材料發展:在論壇中,各大廠商表示當射頻市場向高頻率演進,同時電源市場向高電壓高功率挺進,GaN以及SiC在這兩大市場上將成為主流的解決方案材料。未來,應對頻率以及電壓不同的要求,將會出現三種主流器件:1)對應高頻率的RF GaN(
外延製造將成為中國廠商最有機會切入的環節:我們總結了14家目前已切入化合物半導體領域的上市及非上市公司的布局情況,認為中國廠商在產業鏈外延製造端切入的機會最大。主要由於化合物半導體的外延製造環節前期需要巨大的資本開支,而中國政府已把化合物半導體納入國家戰略材料,對於各大具有先進技術工藝的公司將提供堅實的資金支持,有利於廠商進行高額的研發投入以及產線建設。
風險
化合物半導體市場發展不達預期。
圖表1: 智能手機AI化、5G、汽車電動化將推動化合物半導體行業結構性增長
資料來源:Yole,WSTS,中金公司研究部
圖表2: 化合物半導體應用和材料之間的關係
資料來源:中金公司研究部
圖表3: 第三代半導體在諸多性能上都具有優勢
資料來源:中金公司研究部
圖表4: 未來對應不同要求,GaN以及SiC材料將會出現三種主流器件
資料來源:Yole,中金公司研究部
圖表5: 2017-2023用於射頻GaN器件市場容量CAGR將達到22.9%
資料來源:Yole,中金公司研究部
圖表6: 高頻性能的需求促使GaN器件在射頻中滲透率增長,而對於物聯網等追求低功耗、低成本的應用,則可使用CMOS工藝器件替代
資料來源:WaveTek,中金公司研究部
圖表7: 相較於射頻市場,雖然電源市場的規模較小,但增速更快,2017-2022 CAGR達到82.4%
資料來源:Yole,中金公司研究部
圖表8: SiC器件市場2017-2022 CAGR為32.7%,但值得注意的是,2020後市場規模增速變快
資料來源:Yole,中金公司研究部
圖表9: 中國廠商在外延製造端機會最大
資料來源:公司官網,中金公司研究部
![](https://pic.pimg.tw/zzuyanan/1488615166-1259157397.png)
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※中金TMT大會紀要#2:比特幣,化合物半導體,MicroLED
※深天馬A:2017業績低於預期,LTPS產能存在潛在過剩風險
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