基於快閃記憶體技術的太赫茲晶元研究獲得重要突破

經過三年的全力攻關後，耶路撒冷希伯來大學物理學家烏列·利維（Uriel Levy）博士及其研究團隊開發出太赫茲晶元製造新技術，有望使電子計算機及光學通信設備運行速度提高100倍。

長期以來，太赫茲計算機晶元研製面臨兩大挑戰：容易過熱、難以大規模擴展。最新一期《激光與光子學綜述》發表了題為《使用納米快閃記憶體技術的非揮發性硅光子學》的研究論文，較好地解決了這兩大挑戰。論文作者為希伯來大學榮譽教授、納米光子研究中心負責人利維博士，該研究團隊稱，其開發的太赫茲晶元可將光通信的速度優勢和電子學的可靠性與規模製造優勢很好地結合在一起。

光通信包括所有以光為信息載體並通過光纜傳輸的技術，例如互聯網、電子郵件、簡訊、電話、雲計算和數據中心等都有廣泛應用。光通信速度非常快，但在微晶元中，光通信技術變得不可靠，難以大規模複製。

現在，利用金屬氧化氮氧化硅（MONOS）結構，利維團隊提出了一種基於快閃記憶體技術的新型集成電路微晶元技術。如果成功，將使當前普通的8-16吉赫計算機運行速度提高100倍，並將使所有光學設備更接近通信技術的聖杯——太赫茲晶元。

正如利維博士所說，這一發現可以幫助填補「太赫茲空白」，並創造新的、功能更強的無線設備，通信速率大幅超出當前最先進的無線網路，因此是一項具有廣泛前景的顛覆性技術。

論文第一作者、希伯來大學博士生Meir Grajower補充說，現在可以用快閃記憶體技術的精確度和低成本特性來製造任何光學設備，真正商用化的太赫茲晶元也即將到來。（中國船舶工業綜合技術經濟研究院 丁宏）

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