廈門28納米HKMG試產良率創歷史新高

台海網3月29日訊 （海峽導報記者 駱余民 通訊員 雷颺）導報記者昨日獲悉，位於廈門火炬高新區的聯芯集成電路製造（廈門）有限公司，已於今年2月成功試產採用28納米HKMG（高介電常數金屬閘極）工藝製程的客戶產品，試產良率高達98%，創歷史新高。這也是中國大陸目前集成電路最先進技術最高良率。

據介紹，聯芯28納米High-K/Metal　Gate　工藝製程採用了目前全球最先進的Gate　Last製程技術，能大幅減少柵極的漏電量，提升晶體管性能，可應用於更多樣化的各類電子產品，包括高性能應用處理器和移動基帶功能。

聯芯集成電路製造項目總投資62億美元，於2016年11月正式營運投產，是海峽兩岸合資建設的第一座12英寸晶圓廠，也是福建省目前投資金額最大的單體項目。

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