關注半導體前驅體，打造國內電子材料第一平台

半導體前驅體是半導體薄膜沉積工藝的核心製造材料，高壁壘高增長，應用於半導體生產製造工藝，攜有目標元素，呈氣態或易揮發液態，具備化學熱穩定性，同時具備相應的反應活性或物理性能的一類物質。在包括薄膜、光刻、互連、摻雜技術等的半導體製造過程中，前驅體主要應用於氣相沉積（包括物理沉積PVD、化學氣相沉積CVD及原子氣相沉積ALD），以形成符合半導體製造要求的各類薄膜層。此外，前驅體也可用於半導體外延生長、蝕刻、離子注入摻雜以及清洗等，是半導體製造的核心材料之一。

半導體前驅體可分為：TEOS（正硅酸乙酯）、硼磷（B、P）摻雜劑、金屬前驅體、高k前驅體、低k前驅體等。TEOS和硼磷摻雜劑主要用於生成ILD（層間電解質）、IMD（金屬間電解質），其中TEOS主要用於硅酮聚合物的交聯劑及二氧化硅薄膜前驅體。高k前驅體用於生成電容及柵極。隨下游晶元產業發展，前驅體總體市場規模將保持快速增長。根據數據,全球前驅體銷售規模在2014年約7.5億美元，同比增長28.81%;預計2019年達到約12.0億美元,CAGR達到10%。

全球半導體前驅體銷售收入（百萬日元）

資料來源：公開資料整理

常用的半導體前驅體主要為MO源、電子特氣和有機硅/硼及替代物等幾類。電子特氣具體品種很多，目前高端電子特氣市場仍由少數國外企業壟斷，但目前全球主要跨國電子氣體公司在中國設廠，國內企業布局實際也已開始；有機高k及ALD用前驅體（主要為有機硅/硼、金屬及其氧化物）目前對國內企業而言技術壁壘最高，國內尚處於空白階段。

液化空氣集團電子氣業務線曾宣布，其應用於半導體製造的前驅體ZyALD已獲得中國專利局授予的相關專利，ZyALD（三（二甲胺基）環戊二烯鋯）是上述已獲專利的系列分子中一種重要的鋯前驅體（功能分子）。該分子能夠在半導體製造工藝中，實現高溫條件下原子層沉積方法（ALD）沉積鋯基介電層。全椒南大光電材料有限公司二期計劃投資 1億元在公司現有廠區內建設二期高純 ALD、CVD 前驅體產品項目。雅克科技24.67億元併購案，切入前驅體材料領域。美商 Entegris與中國湖北晶星科技股份有限公司簽訂協議，合作生產包括 TEOS（硅酸四乙酯）在內的高純度沉積產品，2018年1月10日，韓國MECARO半導體材料有限公司總經理房哲源一行來相城高新區就半導體前驅體材料項目作實地考察。經過實地考察,期待在相城高新區投資設廠並建立國內首家半導體用前驅體生產廠家。2018年4月11日-13日，由氣體圈子在江蘇無錫舉辦的第三屆國際氣體產業高峰論壇將設置半導體前驅體專場，圍繞半導體前驅體的技術、種類、應用和市場展開分享。屆時將邀請美國、日本、韓國、台灣和國內主要的電子氣體和材料企業以及研究院所出席參加。

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