三星7nm工藝突破 全球首次極紫外光刻成功

隨著硬體工藝製程越來越向1nm逼近，原有的半導體光刻工藝技術已經出現了越來越明顯的局限性。因此，製程技術如果想要有更高的突破，並且在未來7nm、5nm、3nm製程節點上有所發展，那麼就必須要有新的製程技術。

近日，根據外媒報道，三星已經完成了7nm新工藝的研發，比原進度提早了半年，這為三星與台積電爭搶高通驍龍855代工訂單奠定了基礎。同時，7nm製程工藝的成功，也意味著全球首例極紫外光刻技術的成功。同時，也使三星在與台積電競爭中佔得先機。

此外，考慮到目前英特爾的10nm製程工藝依然尚未發布，因此三星在7nm製程上無疑領先了不少。EUV極紫外光刻技術是下一代、甚至未來幾代製程工藝的主要技術，英特爾10nm雖然依舊沒有發布，但其EUV技術研發方面同樣取得了不小的成就。

今年年底，英特爾有望推出10nm製程工藝處理器。而且從晶體管密度上來看，英特爾的10nm製程技術其實是要領先於三星7nm製程技術的。不過在三星佔得先機之下，英特爾很有可能又會被冠上「擠牙膏」的稱號。

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