美光宣布在新加坡興建第3工廠，計劃2019年第4季開始投產

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2018 04 08

星期日

來源：美光資料圖

原題目：搶攻全球NAND Flash市場，美光宣布在新加坡興建第3工廠

4月7日美光（Micron）宣布擴產，這是美光繼目前在新加坡擁有Fab 10N、Fab 10X兩座NAND Flash快閃記憶體工廠之後，將在當地興建第3座NAND Flash快閃記憶體工廠。新工廠的佔地面積約16.5萬平方米，計劃2019年年中前後完工，2019年第4季開始投產。

不過，美光沒有公布新工廠的具體投產NAND Flash快閃記憶體類型和產能。但是，根據外界的預估，其投產的NAND Flash應該是現有64層堆疊快閃記憶體的下一代產品。

另外，美光除了宣布將在新加坡興建第3座NAND Flash快閃記憶體工廠之外，美光還表示，將在新加坡擴大當前的研發規模，這將使得當地員工總數，有望從目前的7,500人增加到1萬人以上。

除了美光在NAND Flash快閃記憶體的發展外，在DRAM方面，值得一提的是，不久之前，美光的台中工廠也因為供氮設備出現電路問題，發生氮氣供應故障的情況，影響到部分的產品。對此，美光CEO Sanjay Mehrotra在之前的法說會也已經證實此事。

Sanjay Mehrotra表示，氮氣供應受阻事件恐將導致美光本季DRAM產出減少2%到3%。而美光已經將相關故障設備被送往美國進行維修，並於日前重新回到工廠，並且在4月份開始重新投入生產的工作。

來源：TechNews科技新報

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