納微GaNFast解決方案

作者/Stephen Oliver 銷售及營銷副總裁

對納微(Navitas)公司和半導體行業而言，伴隨著寬頻隙技術將取代舊式硅器件，這將是一個動態變化的時代。平面GaN器件正在取代高達650V和5kW的Si FET器件，而在更高電壓和功率水平應用中，垂直SiC部件取代Si IGBT。納微通過全新的高成本效益GaNFast解決方案，著手解決價值300億美元的Si FET和驅動器市場需求。

FET、驅動器和邏輯電路的單片集成，全部採用650V GaN工藝，從而實現許多軟開關拓撲和應用中的高速、高頻率、高效率操作。這意味著Navitas GaNFast器件和參考設計實現了前所未有的小尺寸、低重量和高效率水平，為從智能手機和平板電腦到筆記本電腦，監視器和遊戲系統等終端產品帶來快速充電速度。最近納微公司在美國聖安東尼奧的APEC會議上宣布推出世界上最小的27W USB-PD快速充電器和世界上最薄的通用適配器。

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