長江存儲今日裝機,將實現32層存儲器小規模量產
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2018 04 11
星期三
來源:現場資料圖
原題目:長江存儲今日裝機 將實現32層存儲器小規模量產
4月8日,紫光集團旗下兩大上市公司紫光股份和紫光國芯均宣布,董事長趙偉國因工作繁忙將辭去公司董事長職位。公告指出,辭職後,趙偉國將不再擔任公司任何職務。
對此,集邦諮詢旗下DRAMeXchange分析師吳雅婷認為,趙偉國辭任紫光股份並未對現在在紫光集團的地位有重大影響,他仍身為該集團的董事長,該職務調整僅為職責配置上的考量。紫光股份目前規模仍小,趙偉國先交給其他人才負責,自己先專註目前最重要的半導體發展業務。
隨後,趙偉國在2018中國電子信息博覽會上的發言驗證集邦諮詢的觀點。
4月9日,處在輿論中心的趙偉國在2018 CITE大會上透露,武漢長江存儲基地即將開始移入生產設備。
果然,時隔一天,4月11日,紫光集團旗下武漢長江存儲基地裝機move in正式啟動。據悉,完成裝機後,長江存儲將實現32層存儲器小規模量產。
據悉,長江存儲首批400萬美元的精密儀器已於4月5日抵達武漢。根據此前的資料顯示,作為國家級存儲項目基地,長江存儲總投資金額達240億美元,目前四大股東分別為湖北紫光國器(51.0363%)、國家大基金(24.0933%)、湖北省科投(12.9861%)、以及湖北國芯產業投資基金(11.8843%)。
Source:全球半導體觀察整理
2016年12月,以長江存儲為主體的國家存儲器基地正式開工建設,其中包括3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、1座總部研發大樓和其他若干配套建築,核心廠區佔地面積約1717畝,預計項目建成後總產能將達到30萬片/月,年產值將超過100億美元。
經過一年多的布局,目前,長江存儲已經在武漢、北京、上海、台北、東京、矽谷均設有研發基地。
長江存儲以武漢新芯現有的12英寸先進集成電路技術研發與生產製造能力為基礎,採取自主研發與國際合作雙輪驅動的方式,已於2017年研製成功了中國第一顆3D NAND快閃記憶體晶元,填補了國內空白,長江存儲的目標是成為世界一流的3D NAND快閃記憶體產品供應商。
來源:全球半導體觀察
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