國際巨頭殘酷圍剿下的國產存儲，迎來一個好消息

近日，復旦大學研究團隊開創的第三類存儲技術，成功解決困擾國際存儲業的「寫入速度」與「非易失性」難以兼得的難題。成果被發表在大名鼎鼎的《自然·納米技術》上。這不啻為給正在艱苦行軍的中國存儲業的一個好消息。

存儲器，集成電路行業的關鍵

存儲器無處不在，作為集成電路行業三大支柱之一，經過過去幾十年循環往複的周期性發展，已成為信息技術行業的「生命之源」，甚至決定著一個行業的生死。在全球信息技術領域具有舉足輕重的地位。

在這個領域，韓、美、日三國幾乎壟斷了全部份額，其中韓國更是毫無疑問的全球霸主。在DRAM領域，韓國三星和海力士佔據全球份額的80%，具有壓倒性優勢；在NAND Flash領域，三星與海力士份額超過50%。可以說，韓國發達的關鍵在於電子技術，而韓國電子技術最強大的表現在存儲！存儲，撐起了韓國的榮耀。

2017年，我國集成電路進口額超過1.6萬億元，遠超排名第二的原油，這其中存儲器佔據了大頭，接近30%。存儲對我國經濟來說，已經成為「卡脖子」的產業。過去一年，三星、海力士等國際巨頭操縱的存儲器價格瘋漲，給我國手機等智能設備行業帶來巨大壓力，嚴重侵蝕著我國下遊行業的利潤和發展空間。

國家在存儲上砸的錢是空前的！

在合肥，國資背景的長鑫公司投入494億元，建設DRAM存儲基地，預計2018年底開始量產。其後，2017年10月，長鑫公司關聯方兆易創新與合肥產投合作，開展19nm 12英寸晶圓存儲研發，預算約180億。為此，合肥政府在存儲上的投入將接近700億。

在武漢，國家集成電路大基金支持的新芯公司於2016年宣布投資240億美元建設世界級存儲基地，集中精力生產NAND Flash和DRAM。其後紫光集團注資，公司更名為長江存儲。為此，各方投入合計高達1600億元。

在南京，2017年1月，集成電路國家隊紫光集團宣布投資300億美元，建設投資半導體存儲基地，一期投資100億美元，建成月產能10萬片，主要生產3D NAND FLASH(快閃記憶體)、DRAM存儲晶元。為此，國家隊投資達2000億。

合肥、武漢、南京，僅在此三個城市存儲項目上的投資已高達4300億。再加上863、973科研計劃及其他政府的支持，國家在存儲上的投入是空前的。沒有哪個行業能比存儲更加大手筆。

復旦技術，全球首創

此次，復旦大學微電子學院研發的新型電荷存儲技術，既滿足了10納秒寫入數據速度，又實現了按需定製（10秒—10年）的可調控數據准非易失特性。解決了國際半導體電荷存儲技術中「寫入速度」與「非易失性」難以兼得的難題。

這是一項「顛覆性創新」，利用這一項技術，很可能實現移動存儲設備分享資料到期自動刪除，甚至可以實現存儲設備的無限容量。一旦在中國存儲產業中迅速產業化，將對我國產業的「彎道超車」帶來不小助力。這不得不說是個「不大不小」的驚喜。

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