10年超1000億美元的投入，破局海外壟斷，打造我們的中國「芯」！

4月9日，中國深圳召開第6屆中國電子信息博覽會，而剛剛宣布辭去清華紫光集團旗下紫光控股與紫光國芯兩家子公司董事長及董事職務的趙偉國也出席了這次博覽會。

與會當天，他在台上做了主題為《從芯到雲 打造IT重科技產業》的演講。

10年投入超1000億美元資金開發半導體產業

這次演講，趙偉國對於中國半導體晶元產業所面臨的問題給出了自己的見解，而其中最令人印象深刻的就是紫光集團對於半導體業務在資金面上的投入之大——10年超1000億美元。

紫光作為一個後起之秀，目前想趕超如台積電，三星這樣的半導體巨頭我們就必須在投入上與這些巨頭保持一致，這些個巨頭每年在半導體晶元上的投資都是超過百億美金的數量，在這一點上，紫光也不能落後。

於是紫光計劃10年內在晶元製造領域投資超1000億美元，目前已經籌資1800億人民幣。

與此同時，紫光正在和重慶政府、國家大基金髮起紫光國芯集成電路股份有限公司（以下簡稱「國芯集成」），註冊資本1000億人民幣，註冊地重慶。希望通過1000億公司合計籌資1900億。

這個1900億加上之前已籌集的1800億，就已經有了3700億，足夠紫光五年的彈藥。

今年開始進行量產

眾所周知，目前全球主要的3D NAND Flash 大廠，包括三星、SK 海力士、東芝、美光等，都已經量產了64層堆疊的3D NAND Flash，不少已經開始在更高的72層、96層、128層堆疊的3D NAND Flash上取得了進展，而現在紫光的32層3D NAND Flash還沒量產，這也使得外界質疑紫光集團過往在存儲器發展的投資上，其結果似乎不如預期。

為打破外界的質疑，趙偉國在此次會展上正式宣布，紫光集團旗下的長江存儲32層64G 3D NAND Flash存儲器將會在2018年達成小規模量產的目標，2019年64層128G 3DNAND Flash儲器則將會進入規模研發的階段。

展會期間，紫光還展示了由長江存儲生產的國內第一顆具有自主知識產權的長江存儲32層64G 3D NAND Flash晶元

此外，趙偉國還預計在未來2年內，或許就可以看到採用中國國產NAND Flash存儲器的智能手機問市。

中國存儲晶元的未來

自從紫光聯手英特爾後，其在內存晶元領域有了很大的提升，據統計中國已經總計投資一萬億人民幣給紫光進行半導體開發，這一切的一切都是為了在2025年後中國能夠扼制國外半導體巨頭在中國的橫行，同時能將國產半導體的市佔率達到70%。

但儘管有如此多的支持，紫光仍面臨許多的挑戰。其中最艱巨的一項就是是否能拉近與國外巨頭公司的技術水平。以三星為例，紫光在今年開始小規模量產的32層3D NAND晶元，三星在2014年就開始量產了，此後在2015年與2016年分別開始量產48層與64層的3D NAND晶元。隨著晶元越來越精細，技術上的鴻溝不能單單依靠時間和努力來彌補。

不過事在人為，隨著與英特爾合作的深化，紫光與國際巨頭間的技術水平也將越縮越小。預計在未來的兩到三年內，紫光將會有相關的存儲產品面世，儘管該產品可能是面向低端市場，但這確實紫光佔領市場的第一步，有了這從無到有的一步，可以說紫光的未來將會非常光明。

面對紫光的崛起，海外業內人員表示：「紫光的崛起可能改變目前存儲晶元行業的整個生態鏈。隨著產能的增加，三星與海力士這樣的存儲晶元巨頭將不再被投行所看好，屆時可能出現存儲晶元整體價格下調甚至大幅下調。」

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