確定，長江存儲32層NAND Flash年底量產

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快閃記憶體晶元是國家大基金確立的半導體晶元產業最優先的方向之一，也是目前最緊迫的產業。

根據最新消息顯示，趙偉國表示，長江存儲耗資10億美元，1000人團隊歷時2年研發成功的國內首款自主知識產權的32層3D NAND快閃記憶體晶元將在2018年年底前實現量產。64層3D NAND晶元將會在2019年進入規模研發階段。

這將有望使中國進入全球存儲晶元第一梯隊。

中國是世界上最大的集成電路市場，佔全球份額的55%以上，也是最大的存儲器市場。在晶元這個萬億規模的產能夜裡，中國目前還是主要依賴進口。

長江存儲秉承紫光集團自主研發加國際合作雙輪驅動戰略，致力於打造一個以技術為突破，以市場為導向，以盈利為目的，符合國際一流管理和營運規劃的專業化企業，從而實現中國三維快閃記憶體產業零的突破，讓技術和聲場更貼近市場，並創造更高的價值。

此外，近年來，紫光還投資建設了紫光南京半導體產業基地項目，四川天府新區紫光IC國際城項目，以及在重慶發起設立了註冊資本達千億元的紫光國芯集成電路股份有限公司。

前段時間，據日本經濟新聞此前報道透露，蘋果正與清華紫光集團旗下的長江存儲科技公司就 NAND Flash 採購進行協商。長江存儲被視為中國在存儲領域趕超並挑戰諸如三星電子、東芝、SK海力士、美光和英特爾等市場領導者的希望。

未來，紫光將會在武漢，南京，成都等地總計投資1800億人民幣進行存儲晶元基地的研發製造，複製武漢新芯的成功之路。

據了解，長江存儲於2016年7月26日在武漢新芯集成電路製造有限公司的基礎上正式成立，公司主要股東包括中國集成電路產業投資基金和紫光集團、湖北政府等，目前為清華紫光集團的子公司。設計的 NAND Flash 產品以為 32 層為主。

長江存儲的首個 NAND Flash 生產線位於武漢市，一期投資 240 億美元，佔地面積 1968 畝，包含 3 座全球單座潔凈面積最大的 3D NAND Flash 生產廠房。據悉，一號生產及動力廠房已經在2017年9月封頂。目前正在進行廠內潔凈室裝修和空調、消防等系統安裝，預計2018年4月搬入機台設備，力爭第三季度量產。

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