性能提升100萬倍：復旦大學研發新型存儲晶元，有望趕超鎂光、三星

對於存儲技術來說，目前主流的無論是NAND內存技術還是DRAM內存技術被鎂光、三星、東芝等老長牽頭吊打。當然了內存價格也是由他們說了算，比如去年末內存漲價。

當然吐槽歸吐槽，國內也不是沒有努力搞研發，目前復旦大學電子學院就有團隊研發出一種新型的二維非易失憶性存儲晶元，據悉它相比傳統二維存儲晶元性能高100萬倍。而且性能也更強。

目前英特爾研發的3D XPoint快閃記憶體稱性能能達到1000倍，相比於英特爾，復旦大學研發新型存儲晶元在性能和耐用方面更勝一籌。

該當然了目前該晶元還處於研發階段，距離量產還是有一段時間。在短短4～5年也不可能進入市場甚至是取代傳統的NADA、和DRAM。大家對新型存儲晶元有什麼看法呢？

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