32層三維NAND快閃記憶體晶元年內將量產，晶元產業鏈受益

位於武漢「中國光谷」的國家存儲器基地項目晶元生產機台１１日正式進場安裝，這標誌著國家存儲器基地從廠房建設階段進入量產準備階段，我國首批擁有完全自主知識產權的３２層三維ＮＡＮＤ快閃記憶體晶元將於年內量產，從而填補我國主流存儲器領域空白。

隨著下游大數據、物聯網、雲計等產業的快速發展，集成電路的需求量越來越大。我國是全球半導體需求量最大的地區，佔比超過50%，然而我國的集成電路產品尤其是存儲晶元卻幾乎完全依賴於進口。集成電路是一個國家科技發展的核心產業，因此近年來我國不斷推出產業政策並提供資金以支持半導體行業的發展，相關企業市場競爭力顯著提升。2018年，預計集成電路產業將延續2017年熱度。

據了解，目前，我國通用存儲器基本全部依賴進口，國家存儲器基地於２０１７年成功研發我國首顆３２層三維ＮＡＮＤ快閃記憶體晶元。這顆耗資１０億美元、由１０００人的團隊歷時２年自主研發的晶元，是我國在製造工藝上最接近國際高端水平的主流晶元，有望使我國進入全球存儲晶元第一梯隊，有力提升「中國芯」在國際市場的地位。

根據《國家集成電路產業發展推進綱要》的目標：到2020年收入超過8700億元，實現16/14納米量產，關鍵領域技術達到世界領先水平，材料和設備進入全球供應鏈。政策方面，2000-2010年，以稅收優惠為主，僅限IC設計與製造；2011-2013強調技術研發，並擴大到集成電路全產業鏈；2014年至今，成立大基金，重點支持企業投資併購，預計第二期即將出台，規模超過千億元。

政策持續助力晶元國產化，為行業龍頭髮展提供了可靠的保障。A股市場相關上市公司中紫光國芯（002049.SZ）、長川科技（300604.SZ）、江豐電子（300666.SZ）以及北方華創（002371.SZ）等值得關注。

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