東芝推出採用新型封裝的汽車用40V N溝道功率MOSFET
-- 採用小型低電阻封裝,實現更低的導通電阻
東京--(美國商業資訊)--東芝電子元件及存儲裝置株式會社(「東芝」)已推出兩款採用小型低電阻SOP Advance (WF)封裝的新MOSFET產品——「TPHR7904PB」和「TPH1R104PB」,這兩款產品是汽車用40V N溝道功率MOSFET系列的最新產品。批量生產即日啟動。
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這兩款新MOSFET產品採用最新第九代U-MOS IX-H溝槽工藝製造,採用小型低電阻封裝,具備低導通電阻,因此有助於降低導通損耗。與東芝上一代設計(U-MOS IV)相比,U-MOS IX-H設計還實現了更低的開關雜訊,有助於降低EMI(電磁干擾)。
SOP Advance (WF)封裝採用「可沾錫側翼」(wettable flank)端子結構,支持在焊接之後進行自動光學檢測(AOI)
應用場合
- 電動助力轉向系統(EPS)
- 負載開關
- 電動泵
特點
- 由於採用U-MOS IX-H工藝和SOP Advance(WF)封裝,實現了0.79mΩ的最大導通電阻(RDS(ON)最大值)。
- 低噪音特性降低了電磁干擾(EMI)。
- 採用可沾錫側翼端子結構,支持小型低電阻封裝。
主要規格 | ||||||||||||
(除非另作說明,@Ta=25°C) | ||||||||||||
產品型號 | 漏源極電壓VDSS(V) | 漏極電流(直流)ID(A) | 漏源極 導通電阻RDS(ON)最大值(m?) | 柵源極之間內置穩壓二極體 | 系列 | |||||||
@VGS=6V | @VGS=10V | |||||||||||
TPH1R104PB | 40 | 120 | 1.96 | 1.14 | 否 | U-MOS IX | ||||||
TPHR7904PB | 150 | 1.3 | 0.79 | 否 | U-MOS IX |
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東芝:採用小型低電阻SOP Advance (WF)封裝的汽車用40V N溝道功率MOSFET品——「TPHR7904PB」和「TPH1R104PB」。(照片:美國商業資訊)
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