二硫化鉭可作超快存儲器機制獲解

最近，俄羅斯國家研究型技術大學莫斯科國立鋼鐵合金學院（NUST MISIS）工作人員提出了一種層狀二硫化鉭隱藏潛在狀態的形成理論，從而確證了二硫化鉭可用來長期儲存信息，並能以超快速度處理信息。相關論文發表在《科學報告》雜誌上。

二硫化鉭是一種富有前景的現代微電子材料。謝爾蓋·布拉佐夫斯基2014年與斯洛維尼亞的同行一起，發現了其隱藏潛在狀態。他們用超短激光或電子脈衝照射尺寸小於100納米的二硫化鉭樣本，使樣本從絕緣體變成了導體（或者相反），轉變速度比現代計算機中充作記憶載體的最快材料還要快幾倍，且狀態在受照射後並未消失，而是保存下來。由此顯示，這種材料有潛力成為新一代信息載體的候選。

研究人員解釋：「在斯洛維尼亞同行發現物質在普通相位躍遷時所無法達到的隱藏潛在狀態後，各種雜誌中湧現出一大波這方面的科研文章。但是，大量文章只是試驗性的，而理論滯後。也就是說，在許多實驗室中都可以得到這種狀態，但為何得到的恰好就是這種狀態，它的形成機制如何，整體而言它的性質如何，仍不得而知。現在，我們探尋了發生過程的理論基礎。」這一理論模型可用於描述新發現狀態的最重要的性質：納米結構鑲嵌塊的形成和轉變。

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