中國首個自主研發的 DRAM 晶元，或將在今年底誕生！

據報道，在近日於合肥舉辦的「國家集成電路重大專項走進安徽活動」中，長鑫存儲技術有限公司董事長、睿力集成電路有限公司首席執行官王寧國介紹了合肥長鑫存儲器項目的 5 年規劃：2018 年 1 月一廠廠房建設完成，並開始設備安裝；2018 年底量產 8Gb DDR4 工程樣品；2019 年 3 季度量產 8Gb LPDDR4；2019 年底實現產能 2 萬片/月；2020 年開始規劃二廠建設；2021 年完成 17 納米技術研發。王寧國表示，希望 2018 年底第一個中國自主研發的 DRAM 晶元能夠在合肥誕生。

長鑫睿力起源於「506項目」。「506項目」起源於2016年5月6日兆易創新朱一明董事長和合肥市及經開區主要領導研討合肥的存儲器項目發展戰略，因而得名。「506」項目包含合肥長鑫、長鑫存儲、睿力集成三個運營主體。項目的目標為自主發展主流 DRAM 存儲器 IDM。

中國 DRAM 存儲器的發展離不開「天時地利人和」

王寧國表示，存儲器尤其是 DRAM 存儲器是非常難的技術，項目的成功離不開「天時地利人和」，首先在「天時」方面：存儲器的應用非常多樣化，從最早的台式電腦、個人電腦、智能手機、平板電腦、大數據，再到將來的人工智慧應用都離不開存儲器，而 DRAM 更是無所不在。因為這個原因，DRAM 的市場蓬勃發展，去年 2017 年已經達到 700 億美元，今年有可能突破 1000 億美元，中國在這個市場消耗的量至少佔1/2到1/3，也就是將近 300 億-500 億美元，但是我們現在自主生產的 DRAM 晶元為零。

除此之外，由於技術轉換比較困難，DRAM 提升的速度也逐步放緩，九十年代的時候，存儲密度每 3 年增加 4 倍，而現在是每 4 年增加 1.5-2 倍。技術更新速度的降低，事實上對後進者來說是好事，有機會實現彎道超車，因此技術的推遲對我們是有意義的。

其次在「地利」方面，王寧國表示，合肥是一個非常有趣的地方。一個大規模的晶元製造企業，如果沒有完整的產業鏈（設備、配件、維修、材料、和服務）的話，這個企業是不可能有效的生產低成本、高質量的晶元，因此合肥變成了一個幾何的中心。

同時，王寧國呼籲更多的設備、配件和材料公司下決心在合肥落地生根，只要跟合肥的產業合作，那麼一定會快速發展，只有在合肥建立起完整的產業鏈，中國集成電路產業才能壯大起來，否則沒有辦法成長。

最後在「人和」方面，王寧國表示，睿力集成於 2016 7 月 13 日成立，當時只有 1 個人，經過 21 個月 630 天之後，目前員工已達到 1539 人，相當於每一天有 2.5 個人報道，在不到兩年的時間裡這是一個非常快的成長。目前公司員工中，台灣同胞有 447 位，中國大陸員工有 1013 人，佔比達三分之二，而安徽省員工又佔大陸員工的三分之二。

長鑫睿力專註於自主研發，已與北方華創簽約

據王寧國介紹，實際上長鑫睿力的研發工作已經有 1 年半的時間，在元件方面，自主開發了元件模組規格；在設計方面，設計了新的修補線路（E-Fuse），產生自有專利；在光罩方面，自主開發了光學鄰近效應修正（OPC）；在製造方面，有 450 位平均 15 年 DRAM 工作經驗的工程師做製程最佳化以快速提升良率，並自主開發最有效率的 IT 系統（大數據分析）；在測試方面，跟幾家公司合作自主開發了測試程式（low cost RDBI wafer flow），幫助他們製造最廉價的測試設備，降低成本。

值得一提的是，長鑫睿力自主開發的光學鄰近效應修正（OPC）項目由公司 7 位資深工程師和 12 位 ASML 資深工程師，經過 3 個月的時間一起工作完成的。

同時，長鑫睿力還自主研發了智能製造系統，能夠實現良率、產能和質量的提升，目前有 70 多位員工服務於該系統。此外，長鑫睿力已經跟中科大簽訂協議，將與 15 位中科大學生一起合作，將智能製造系統做的更好。

截止 2017 年底，長鑫睿力已申請 354 件專利，2018 年計劃申請 1155 件，因此截止 2018 年底，預計申請專利總數將達 1509 件。

最後，王寧國透露，長鑫睿力已經與北方華創簽約，未來還會與更多的國內設備和材料廠商簽約合作。希望用長鑫睿力 DRAM IDM 平台大力扶持國產半導體設備與材料的研發和產業化進程。

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