固態硬碟3D快閃記憶體到底是多少納米的？

無論是手機還是電腦CPU，都非常講究一個納米製程參數，因為它直接關係到性能與價格。在過去幾年固態硬碟中的快閃記憶體也是有納米製程標註的，為何現在只說3D快閃記憶體不再提具體納米數值了呢？

進入3D時代之後，快閃記憶體從平面擴展變為垂直方向堆疊，相應的納米工藝也發生一定回退。比如三星第一代3D快閃記憶體（32層堆疊）問世時從當時平面快閃記憶體的19nm直接退回到幾年前的40nm工藝，單容量相比19nm平面快閃記憶體卻有一定提升。

一方面，採取老的納米製程有助於快閃記憶體耐久度提升，另一方面納米工藝製程不再直接影響快閃記憶體容量和性能，所以現在快閃記憶體顆粒只講堆疊層數和存儲密度，不再將納米製程放在明面上。不過相信很多朋友還是非常關心具體數值的。存儲即可就來透露一下，除了三星之外，美光的第一代3D快閃記憶體（32層堆疊）使用的也是40nm工藝，第二代64層堆疊產品才降至20nm。

東芝最早提出了3D快閃記憶體結構，在應用推廣上晚於三星一些，主要是為了等待技術的成熟。第一代48層堆疊3D快閃記憶體（東芝稱BiCS2）就使用了19.5nm工藝，當代64層堆疊3D快閃記憶體（東芝稱BiCS3）則使用當前領先的19nm工藝製造。

BiCS2主要見於手機等移動存儲晶元，譬如iPhone 7 256G中使用的就是編號為THGBX6T1T82LFXF的東芝快閃記憶體晶元。

BiCS2 3D快閃記憶體內部結構：

最新一代的BiCS3，也就是東芝64層3D快閃記憶體的存儲密度相比2D TLC快閃記憶體提升2.8倍，達到每平方毫米面積的晶片可記憶3.4Gb數據。最早使用它的是東芝原廠TR200固態硬碟。由於2.5寸規格空間充裕，TR200的快閃記憶體採用了多顆TSOP封裝的顆粒，容量不變價格更便宜。TR200也是當前最便宜的原廠3D快閃記憶體固態硬碟之一，穩定耐用價格實惠。

東芝BiCS3快閃記憶體的內部結構圖，電子顯微鏡掃描：

相比NAND快閃記憶體，原本是半導體製程應用急先鋒的內存已經落後不少，當前最新的內存晶元還停留在18nm 2D水平上。由於三星的壟斷，內存價格始終居高不下，也遲遲沒有邁向3D化的動作。

其實早在幾年前就已經有3D內存理論被提出，基本原理與3D快閃記憶體類似，只不過推進3D化會增加短時內研發成本，而現在高度壟斷之下躺著就能賺錢，又怎會積極推動技術跨越呢？

近期內存、固態硬碟價格都有所回落，但從降幅來說，現在固態硬碟顯然要比內存更值得買。據市場研究機構分析，近幾個月將是快閃記憶體價格本年度內的低谷，也就是入手固態硬碟的最佳時機。要不要上車，大家看著辦咯。

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