中國三大存儲器陣營將試產，2019 年迎中國存儲器生產元年

首圖來源：科技新報攝

全球存儲器市場需求持續不減，國際大廠紛紛投入擴產行動。包括龍頭三星在 NAND Flash 方面，宣布中國西安開始第 2 期的建設工程，DRAM 上也有意在韓國平澤（Pyeongtaek）廠大幅生產。而另一家韓國大廠 SK 海力士，除了生產 NAND Flash 的 M15 廠預期在 2019 年正式營運之外，在 DRAM 部分也斥資 86 億美元，將在中國無錫興建第 2 期廠房。

另外，專註在 NAND Flash 產品的東芝，除了 Fab 6 廠即將在 2019 年營運外，還斥資 70 億美元用於興建 Fab7 廠，完成後將用於 96 層堆疊的 3D NAND Flash 生產。美光部分，日前除宣布將在新加坡設立 NAND Flash 的第 3 座工廠之外，在 DRAM 產品方面，雖然無新擴建產能的計劃，但是預計將在中國台灣地區以提高生產效率來拉高位成長率的方式，提升產能。因此，面對各家國際存儲器大廠的來勢洶洶，中國的存儲器廠投資也開始急起直追，預計也將在 2019 年加入全球擴產戰局。

根據 TrendForce 存儲器儲存研究 (DRAMeXchange) 指出，中國存儲器產業目前以投入 NAND Flash 市場的長江存儲、專註於移動式存儲器的合肥長鑫，以及致力於利基型存儲器晉華集成 3 大陣營為主。以目前 3 家廠商的進度來看，其試產時間預計將在 2018 年下半年，隨著 3 大陣營的量產的時間可能皆落在 2019 年上半年，揭示著 2019 年將成為中國存儲器生產元年。

DRAMeXchange 表示，從 3 大廠目前布局進度來看，合肥長鑫的廠房已於 2017 年 6 月封頂完工，並且於第 3 季開始移入測試用機台。合肥長鑫目前進度與晉華集成大致雷同，試產時程將會落於 2018 年第 3 季，量產則暫定在 2019 年的上半年，時程較預期落後。此外，由於合肥長鑫直攻三大 DRAM 廠最重要產品之一的 LPDDR4 8Gb，爾後面臨專利爭議的可能性也較高，為了避免此一狀況，除了積極累積的專利權外，初期可能將鎖定於中國銷售。

反觀，專註於利基型存儲的晉華集成，在 2016 年 7 月宣佈於福建省晉江市建 12 寸廠，投資金額約 53 億美元，以目前進度來看，其利基型存儲器的試產延後至 2018 年第 3 季度，量產時程也將落在 2019 年上半年。

此外，從中國廠商 NAND Flash 的發展進程來看，2016 年 12 月底，由長江存儲主導的國家存儲器基地正式動土，官方預期分 3 階段，共建立 3 座 3D-NAND Flash 廠房。第一階段廠房已於 2017 年 9 月完成興建，預定 2018 年第 3 季開始移入機台，並於第 4 季進行試產，初期投片不超過1萬片，用於生產 32 層 3D-NAND Flash 產品，並預計於自家 64 層技術成熟後，再視情況擬定第 2、3期生產計劃。

DRAMeXchange 指出，觀察中國存儲器廠商的研發與產出計劃，2019 年將是中國存儲器產業的生產元年。但也由於 2 家 DRAM 廠預估初期量產規模並不大，短期難撼動全球市場現有格局。無論是 DRAM 或是 NAND Flash 產品，各家都是初試啼聲，相較於耕耘多年的既有存儲器大廠所面臨的挑戰更多，因此亦不排除量產時間點也可能比原先預期延後。

長期來看，隨著中國存儲器產品逐步成熟，預計2020 年到 2021 年，2 家 DRAM 廠商現有工廠將逐步滿載，在最樂觀的預估下，屆時 2 家廠商合計約有每月 25 萬片的投片規模，可能將開始影響全球 DRAM 市場的供給。另一方面，長江存儲計劃設有的 3 座廠房總產能可能高達每月 30 萬片，不排除長江存儲完成 64 層產品開發後，可能將進行大規模的投片，進而在未來 3 到 5 年對 NAND Flash 的供給產生重大影響。

喜歡這篇文章嗎？立刻分享出去讓更多人知道吧！