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12份研報解密「中興事件」,從韓國崛起之路思考中國發展機會

自中美雙方公布加征關稅清單後,中美貿易摩擦進一步加劇,進入「精準打擊」階段,半導體成了博弈焦點。

4月16日,美國商務部對向中國電信設備製造商中興通訊發布7年「禁售令」,至2025年3月13日之前不允許美國企業向其出售任何電子技術或通訊元件。

禁令一出,業界嘩然。中興的產品和設備中包含大量美國產的半導體晶元,其中很多還遠不能實現國產化,「禁售令」直接重創我國第二大電信設備製造商,揭開了中國半導體產業的痛點,晶元國產化替代進程由此備受關注。

我們的產業發展在什麼樣的階段?有什麼難以攻克的壁壘?有哪些靠譜企業在做事?

本期的智能內參,我們推薦來自廣發證券、光大證券等12份證券公司的「中興事件」點評,解讀中國半導體產業現有水平,盤點晶元國產替代化進程,結合日韓歷史經驗以及當前的信息變革拐點,洞悉本土企業的機遇。如果想收藏本文的報告全文(12份證券公司的「中興事件」點評),可以在智東西公眾號(zhidxcom)回復關鍵詞「nc249」下載。

以下為智能內參整理呈現的乾貨:


中興的困局

近來中美貿易摩擦事件

中興,這家中國第二大、世界第四大電信設備生產商,2017年營業收入1088.2億元人民幣的企業,最近因為一條美國商務部的禁售令,可謂遭遇「滅頂之災」。

據報道,中興有25%-30%的零部件來自美國供應商,最為核心的零部件都依賴於美國(手機晶元、基帶晶元、射頻晶元、存儲晶元、手機玻璃、光學元件等核心零部件都來自於美國的高通、博通、英特爾、美光、甲骨文、康寧等科技巨頭,且短期內無法找到能保持相同競爭力的替代產品)。

中國核心集成電路的國產晶元佔有率

中興不是個例。儘管國內的晶元設計公司在近年來取得了一定的成果,在部分細分領域已躋身全球領先行列,但對於 MPU、FPGA/EPLD、DSP、DRAM、NAND Flash 等核心晶元領域,國產晶元佔有率均很低。

中國半導體行業協會(CSIA)的統計資料顯示,2017年中國集成電路的產品需求達到1.40兆元人民幣,但國內自給率僅為38.7%;2017年,集成電路進口額超過2600億美元,已經替代原油成為中國第一大進口商品;集成電路的貿易逆差在2017年再創新高,達到1932億美元。

晶圓廠投資分布(半導體產業發展需要大量的前期投入)

從晶元產業來說,可以分為設計與製造兩大部分。中國工程院院士倪光南指出:中國的設計水平還可以,最大的短板在製造。過去我們在晶元製造領域投入不夠,要趕上發達國家可能需要10年左右的時間以及至少幾千億人民幣的連續投入。

而此次中美貿易摩擦,對於半導體產業國產化替代進程的主要影響有三方面:通過併購途徑以縮短國外技術差距的概率將越來越小,阻礙中國企業通過併購快速獲取先進位造一流的技術、工藝、研發、管理等經驗;關鍵設備的零部件和原材料進口成本和難度可能會加大;全球產業人才的爭奪會更加激烈。

國產晶元市場空間的敏感性分析(晶元進口替代市場角度)

不過,從晶元進口替代市場角度估算,方正證券據初步測算,2018年國產晶元市場規模在450億元以上,考慮近五年的存量市場替代,那麼市場總規模達2250億元以上,替換空間巨大。

龐大的市場空間,加上產業的戰略意義,本土半導體雖然短期受中美貿易摩擦影響,但長期將依然見好。常春藤資本付磊曾在採訪中表示:接下來五到十年,中國公司自己研發、生產的晶元增速保持一個很高的增速,至少每年30%。


韓國逆襲啟示錄

半導體產業歷史遷移路徑

智東西第235期智能內參指出,時值全球第三次半導體產業遷移,大陸半導體產業在國家政策資金重點扶持下,通過技術積累、及早布局,以晶圓代工為突破點,具備能力把握潛在需求換代機遇,成為半導體產業第三次遷移地。

本節我們就韓國半導體崛起歷程,分析本土半導體可行的發展路徑。

韓國半導體起步晚於我國,在缺乏技術和人才的情況下,作為一個後發國家,通過引進技術、消化吸收,最終實現技術獨立,是典型的追趕超越式的突破創新。回顧韓國半導體行業崛起歷程,大致可以分為以下四個階段:

1、引進技術起步階段(1965-1980年)

韓國半導體早期技術引進過程

上世紀 60 年代,時值韓國開始轉為出口導向戰略,積極鼓勵外國高科技企業在韓國投資設廠;另一方面,美國半導體企業感受到來自日本在半導體行業的第一輪競爭壓力,因此開始在國外投資低成本的裝配生產線,由此引發了美國半導體公司競相進入韓國設立工廠的熱潮。

在美日企業的帶動下,上世紀 70 年代,韓國半導體組裝領域已經取得了一定的成就,出口貿易中電子工業的比重持續擴大。

由於半導體屬於技術及資本高度密集型行業,只有下游終端需求換代等重大機遇來臨時,新興地區通過技術引進、勞動力成本優勢才有機會實現超越,推動產業鏈遷移。

2、DRAM高速發展時期(1981-1995年)

韓國DRAM趕超美日過程

1981年,政府為推動集成電路產業的發展,制定了「半導體工業育成計劃」,加強了對集成電路產業技術的開發。政府還頒布了半導體產業的基礎性長期規劃(1982-1986)等。

由於得到政府的直接刺激和承諾,三星、現代和金星都宣布大舉參與超大規模集成技術水平的大規模晶元生產,尤其是類似DRAM的金屬氧化物半導體內存晶元生產。

3、逆周期擴產鞏固DRAM霸業時期(1996-2011)

DRAM價格周期性

以三星為代表的韓國半導體企業充分利用了存儲器行業的強周期特點,依靠政府的輸血,在價格下跌、生產過剩、其他企業削減投資的時候,逆勢瘋狂擴產,通過大規模生產進一步下殺產品價格,從而逼競爭對手退出市場甚至直接破產。由此,三星市佔率進一步提升,穩坐DRAM行業霸主之位。

韓國半導體產業鏈中的代表企業

4、半導體全面崛起時期(2011年至今)

DRAM、NAND Flash市場佔有率

2011 年,韓國達到了 16%的半導體市佔率,第一次超越日本,成為僅次於美國的第二大半導體強國。在存儲市場,三星、SK 海力士在DRAM和NAND Flash領域市場份額連續多年全球領先。

全球智能手機處理器、晶圓代工企業市場佔有率

繼存儲器業務方面佔據統治地位之後,以三星為代表,韓國在智能手機應用處理器、代工等環節亦躋身全球頂尖行列。2017 年上半年,三星在應用處理器市場份額僅次於高通、聯發科、蘋果,排名全球第四。

同時三星積極發展自己的晶圓代工業務,這使得三星在手機廠商里是唯一一家同時具備設計和製造晶元能力的企業,在技術、工期和成本上都不會受制於人。

韓國半導體產業鏈

總的來看,韓國半導體崛起原因可以總結為三點:國家支持力度強,官產學研通力合作;重視人才,強調技術自主可控; 產業集聚,生態完善。半導體產業最核心的要素是資本和技術,國家支持、持續的研發投入與完善的產業生態缺一不可。

中國半導體的政策、研發、產業鏈布局

中國半導體全產業鏈布局形成


尋找隱形龍頭

分析了發展路徑,我們來看看投資邏輯。

如智東西第235期智能內參所述,大陸半導體的下一突破口便是晶圓代工。事實上,從2016年下半年開始,國內晶圓廠開始進入新一輪投資高峰。

國內晶圓廠統計

根據廣發證券的統計測算,目前正在興建的12寸晶圓產線共16條,投資金額合計6,058億元,這部分產線將於2018-2019年投產,將形成2018-2020年設備投資高峰;另外,據統計的計劃建設的晶圓產線共13條,其中有披露投資額的合計4,946億元,擬建項目充足,有望拉長高景氣周期。

半導體設備的投資邏輯:兩個紅利疊加

進入2018年,隨著眾多產線即將進入試產/量產階段,將迎來集中的設備採購,當前在建的產線將會形成未來幾年設備投資高峰。

與此同時, 半導體設備產品眾多,國內企業從細分領域突破加快國產化進程,而布局新產品將進一步拓展可觸及的市場空間。除了設備和新產品,投資者還應關注深度布局和核心競爭力強化的企業。

主要半導體設備上市公司梳理

當然,除了晶元製造,特別是晶圓代工方面的布局,晶元設計、材料等領域的國產化替代進程亦在大基金的支持下加速。

國家集成電路產業投資基金投資標

智東西認為,半導體/晶元作為信息技術的核心,是一個回報慢,產業鏈長,資本、技術和專利壁壘高的產業,中國現有的優勢點在於政策紅利和龐大內需,以及基於信息革命的第三次產業轉移浪潮。總的來看,本土半導體產業的崛起,離不開政策的支持和引導,亦離不開產學研各界人士的通力合作,特別是我國目前技術引進的發展方式受限的情況下,如何從現有的產業生態雛形中孵化出巨頭,並逐步完善產業鏈各個環節,實現自給自足,自主可控,方是重中之重。

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