3D NAND預計2021年可實現140層堆疊

IT之家5月15日消息 IMW 國際儲存器研討會2018目前在日本京都舉行，在會上邀請到超過100名參業內人士參與，來自半導體設備製造商應用材料公司的Sean Kang發表題為「3D NAND 技術及縮放材料、工藝、設備展望」的演講，提及到未來3D NAND Flash 的發展趨勢，預計到2021 年3D NAND Flash 的堆疊數將會增加到140 層以上，同時會較現在的變得更薄。

在今年內 3D-NAND 堆疊層數將會發展至超過 90 層，到後年即 2020 年層數會升級至 120 層，路線圖更預期至 2021，3D-NAND 堆疊將可超過 140 層。

3D NAND Flash 技術在現在廣泛被使用，其設計與2D NAND 相反，儲存器單元不在一個平面內，而是一個堆疊在另一個層之上，以這種方式每顆晶片的儲存容量可以顯著增加，而不必增加晶片面積或者縮細單元，使用3D-NAND 可以實現更大的結構和單元間隙，這有利於增加產品的耐用性。

東芝及西數已計劃在今年大規模生產新的96層BiCS4 儲存晶片，至於三星也在發展QLC NAND 晶片，將會在第五代V-NAND技術實現96層這一目標，並在此基礎上推出首款128 TB SSD。

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