3D快閃記憶體路線圖曝光：2021年可望用上140層產品

固態硬碟的價格在2018年終於開始鬆動，部分產品的價格已經回落到2016年年中水平。除了產能惠生和市場需求放緩之外，3D NAND顆粒的大批量產也是價格回落的重要原因。

自從3D-NAND誕生以來，它的堆疊層數就在不斷的增加，三星第一代3D V-NAND只有24層，第二代就變成了32層，隨後48層，到現在大批量生產的64層，而SK海力士則是72層，可以看到升級和變化相當之快。今年3D-NAND堆疊層數有望超過90層，然後是120層，2021年更是有140層的產品。

國際存儲研討會2018(IMW 2018)中，應用材料公司Sean Kang介紹了未來幾年3D-NAND的發展線路圖，到了2021年，3D-NAND的堆疊層數會超過140層，而且每層的厚度也會不斷變薄。

在堆疊層數增加的時候，存儲堆棧的高度也在增大，然而每層的厚度缺在縮小，以前的32/36層3D NAND的堆棧厚度為2.5μm，層厚度大約70nm，48層的快閃記憶體堆棧厚度為3.5μm，層厚度減少到62nm，現在的64/72層快閃記憶體堆棧厚度大約4.5μm，每層厚度減少到60nm，沒升級一次堆棧厚度都會變成原來的1.8倍，而層厚度會變成0.86倍。

而快閃記憶體的Die Size也隨著堆疊層數的增長而增長，在32層時代的時候是128Gbit，48層時256Gbit，64/72層是512Gbit，2019年的96層快閃記憶體應該會達到768Gbit，128層應該會有1024Gbit的Die Size，達到144層時就不清楚會有多大了，肯定會大於等於1024Gbit。

現在各家廠商都在3D NAND上加大力度研發，儘可能提升自己快閃記憶體的存儲密度，此前東芝與西數就宣布計劃在今年內大規模生產96層堆疊的BiCS4晶元，並會在年底前發貨。

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