材料與工藝改進幫助3D快閃記憶體衝擊140層堆疊，128T固態硬碟即將誕生

堅果R1的皇帝版8G+1T ROM配置賺足了眼球，藉助於當代64層堆疊3D快閃記憶體，單晶元封裝1T快閃記憶體顆粒得以問世，這才讓手機達到了移動硬碟級的容量。

不過很快手機快閃記憶體的容量還將刷新記錄，預計明年年初就將有1.5T快閃記憶體顆粒。推動容量上升的是3D快閃記憶體的堆疊層數。東芝預計96層3D快閃記憶體就可以提供768Gb的單晶粒容量，輔以疊Die技術即可實現單顆1.5T的快閃記憶體。

最近在日本舉行的國際存儲研討會上，來自應用材料公司的Sean Kang介紹了未來3年內3D快閃記憶體的技術演進路線。今年年底實現90層以上堆疊，到2020年實現大於120層堆疊，2021年可實現大於140層堆疊。

當然就如同平地建起的大廈一樣，沒有牢固的根基是無法穩定的拔地而起。隨著堆疊層數的增加，3D快閃記憶體堆疊高度增長將會給蝕刻技術帶來挑戰。為應對這一挑戰需要壓減3D快閃記憶體中字線和絕緣膜的厚度，抑制快閃記憶體單元堆疊高度的升高速度。

要壓減高度的目的，需要在材料和工藝上取得新的突破。而日本恰恰在基礎材料研發上擁有優勢，就我們所知的英特爾年度供應商獎名單中，提供材料技術支持的日本企業佔據半壁以上江山。

就目前的計劃來看，快閃記憶體製造企業需要克服工藝與材料瓶頸，將字線與絕緣的疊層高度從70nm一步步壓低到45-50nm，才能實現大於140層的堆疊高度。除此之外，英特爾/美光已經在他們的第二代64層堆疊3D快閃記憶體中應用了CuA（CMOS under Array）技術，這有可能成為未來3D快閃記憶體的標配，它是將外圍電路置於存儲單元陣列之下，進一步提升存儲密度。據美光透露，該技術在64層堆疊水平下可提供高達25%的空間節省率，這意味著更低的單位容量成本和更大的快閃記憶體容量。

喜歡這篇文章嗎？立刻分享出去讓更多人知道吧！