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英飛凌:充電樁已經成為SiC在市場的突破口

5月16日英飛凌在深圳舉行了SiC器件為主題的技術研討會,獲得了超過三百名工程師的積极參与。同期英飛凌科技(中國)有限公司大中華工業功率控制事業部的高管與技術專家,也與深圳的電子類專業媒體報告了英飛凌在SiC方面的技術與市場方面的進展。

英飛凌:充電樁已經成為SiC在市場的突破口

圖:英飛凌科技(中國)有限公司大中華工業功率控制事業部副總裁於代輝(右)和工業功率控制事業部總監馬國偉博士(左)在深圳媒體見面會上回答記者的提問

作為功率器件全球市場的領導者,英飛凌與IR合併之後,在功率器件市佔方面遙遙領先。英飛凌科技(中國)有限公司大中華工業功率控制事業部副總裁於代輝說,2017年英飛凌工業功率控制事業部(IPC)的營收達到了12.06億歐元。HIS Markit的排名,到2017年8月為止,英飛凌在功率半導體市場擁有高達26.6%的市場份額 ,高居市場第一。

英飛凌:充電樁已經成為SiC在市場的突破口

英飛凌IPC事業部主要的產品主要是IGBT(模塊、晶元、驅動)和碳化硅(SiC)。無疑在IGBT所覆蓋的中高功率器件市場,英飛凌已經取得了非常完滿的成績。

英飛凌:充電樁已經成為SiC在市場的突破口

從上張英飛凌提供的統計數據表格中可以看出,英飛凌在2016年的市場份額比第二名要多出一倍。前十名的公司中,還有部分是購買英飛凌的IGBT晶元做成模塊向市場供貨。

不過,於代輝副總裁認為,公司的IGBT的優勢體現在隨著更高效智能的能源利用變成社會發展大勢所趨,市場需要更加便捷、安全、清潔和高效的功率器件。SiC有著更好的技術上的優勢,來滿足這方面的需求。「我們在奧地利投入了3500萬歐元做研發和生產SiC器件,同時也與供應商合作,他們可以為我們提供6英寸的SiC晶圓保障。目前在SiC領域,我們擁有著頂尖的研發和技術團隊。我們認為,英飛凌目前是引領著全球SiC技術向前拓展。」於代輝表示。

英飛凌工業功率控制事業部總監馬國偉博士介紹說,SiC材料的晶體管可以實現比硅基功率器件更高的開關頻繁,因此可以提供高功率密度、超小的體積。馬國偉提到:「英飛凌的CoolSiC MOSFET具備更大靈活性,可提高效率和頻率。它們將有助於電源轉換方案的開發人員節省空間、減輕重量、降低散熱要求,並提高可靠性和降低系統成本。」

但是SiC的高成本也限制了它目前在市場的應用空間。畢竟IGBT在市場上的各種成熟的應用,如果是沒有很明顯的成本方面的優勢,客戶要改變選擇SiC的器件,必須要有足夠的理由。

在不斷地與市場接觸的過程中,真有客戶找上門來。馬國偉博士介紹說:「我的一個客戶上門對我說,我不在意成本,我就需要找高功率密度、但體積要小的功率模塊,用在我的充電樁上。」

馬國偉介紹說,中國的充電樁選址在城市昂貴的地段,體積要小同時還要能支持快速充電。幾台車一起快速充電需要達到幾百KW的功率,一個電動汽車充電站更是要達到百萬W的功率,相當於一個小區用電的功率規模。傳統的硅基功率器件體積大,但SiC模塊則可以實現很小的體積滿足功率上的要求。

「電動汽車對於快充是一個剛需,在10-15分鐘內實現電池80%的充電,將會是人們對電動汽車體驗的滿意度的一個硬指標。因為充電樁要滿足快速充電,可以接受SiC較高的成本。」馬國偉博士說。

英飛凌:充電樁已經成為SiC在市場的突破口

在國外,SiC在光伏方面的應用也逐漸起步,UPS/SMPS也漸漸為市場接受。較小的體積下滿足高功率的需求,這是SiC最大的比較優勢。而在機車牽引、電動汽車和電機驅動等方面的應用,則暫時還屬於英飛凌不斷與客戶們互相探索的市場。於代輝副總裁認為,SiC的市場現在還處於初級階段,也許未來十年都會是不斷探索的過程。他透露說,中國珠海一個知名品牌的空調已經試用SiC來實現更高的節能指標。當然,這款空調是拿來去參加國際的比賽,短期內還不太可能出現在商用機上。

「但是,碳化硅是功率器件的未來,我們現在不去做這塊市場,新興的技術所有的玩家的差距都很小,中國企業要投資進來,也很有機會。因此如果我們現在不投入到這個市場,將來有可能就會完全失去話語權。」對於SiC的前景,於代輝這樣回應說。

最後他強調指出,英飛凌的SiC技術所覆蓋的十個重點行業,其中有八個是跟中國製造2025的行業相關。同時,SiC還將有機會助力中國家電行業的產業升級,產品做到更加的節能環保,幫助中國企業供給側的改革從量變到質變。

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