長江存儲7200萬美元購置ASML光刻機，國產快閃記憶體下半年量產
前幾日有消息稱中芯國際花費1.2億美元購買了ASML公司的EUV光刻機，為未來7nm工藝研發打下了基礎。隨著國內12英寸晶圓廠的大量建成，光刻機等半導體生產裝備還會更多。周末有消息報道稱長江存儲購買的光刻機已經運抵武漢，售價高達7200萬美元（約合4.6億），可用於生產14-20nm工藝晶圓。
與中芯國際的EUV光刻機不同，長江存儲購買的ASML光刻機還是傳統的193nm沉浸式光刻機，可生產14-20nm工藝的晶圓。由於快閃記憶體跟處理器工藝並不同，所以14-20nm工藝在目前的NAND快閃記憶體工藝中依然是很先進的，而且3D快閃記憶體更不依賴工藝微縮了，考驗的是堆棧層數，幾年前三星最早推出的3D NAND快閃記憶體還是34nm工藝的，反而是工藝越低，快閃記憶體的PE壽命、可靠性更高。
目前運抵武漢的光刻機只是第一步，長江存儲未來還會購買更多的光刻機用於NAND快閃記憶體。
紫光旗下的長江存儲前身是武漢新芯科技，2016年在武漢開工建設國內最大的NAND快閃記憶體生產基地，目前建設三期工程，總投資240億美元，一期工程主要針對NAND快閃記憶體，月產能30萬片晶圓，二期工程面向DRAM內存，三期工程則是為晶圓代工準備，建成之後總產能可達100萬片晶圓/月。
長江存儲的主體建築工程在2017年9月提前竣工，後續開始生產設備安裝，今年5月4日首批400萬美元的精密儀器進場安裝，現在的光刻機安裝則是下一步。
國產NAND快閃記憶體預計在2018年下半年開始量產，不過長江存儲目前研發的快閃記憶體才是32層堆棧64Gb核心，相比主流的64層堆棧256Gb-512Gb核心要落後兩年以上，此前長江存儲已經表態正在研發64層及以上堆棧的3D快閃記憶體，整個工程大規模量產要等到2019年初，所以明年真正生產的國產快閃記憶體可能會變成64層3D NAND快閃記憶體。
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