裝備最先進沉浸式光刻機：正邁向14nm

中芯國際斥資1.2億美元購買了一台EUV極紫外光刻機，目的是未來可以生產7nm工藝晶元。與此同時，長江存儲同樣從荷蘭ASML（阿斯麥）購買了一台機器，唯一不同是的是193nm沉浸式，能用於生產20-14nm工藝的3DNAND快閃記憶體晶圓，售價7200萬美元一台。

這台光刻機的型號是NXT1980Di，也是大陸裝備的最先進的沉浸式光刻設備。據華力微電子官網資料顯示，華虹六廠是該司的第二個12英寸晶圓生產線，設計月產能4萬片，工藝技術從28nm起步，最終將具備14nm三圍工藝的高性能晶元生產能力。

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