國產19nm DRAM下半年試產：量產指日可待

IT之家5月21日消息 根據超能網的消息，最新消息顯示兆易創新、合肥長鑫的國產DRAM將使用19nm工藝，預計下半年試產，項目建成之後產能可達全球DRAM產能的8%。

據悉，位於合肥空港經濟示範區的長鑫12英寸存儲器晶圓製造基地項目的300台研發設備已全部到位，運營及研發團隊全部入駐廠房辦公區，今年下半年將投片試生產。

內存國產化節奏的加快，國內多家廠商都公布了自己的DRAM內存生產計劃。近日，長江存儲也迎來了自己的首台光刻機，5月19日，光刻機已運抵武漢天河機場，設備相關的海關、商檢及邊防口岸的相關手續辦理完成後，即可運至長江存儲的工廠。

據悉，長江存儲的首台光刻機同樣來自ASML，為193nm浸潤式光刻機，售價7200萬美元，約人民幣4.6億元，用於14nm~20nm工藝。這也從側面透露了長江存儲3D NAND快閃記憶體晶元的工藝製程。

隨著國家政策的扶持以及更多資金的扶持，用上高品質國產內存將指日可待。

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