中國半導體正迎接先進光刻時代到來，「芯自強」更進一步

近期，中國半導體廠開始積極迎接先進的光刻機時代到來。就在日前，中國最大晶圓代工廠中芯國際斥資 1.2 億美元，自荷商阿斯麥（ASML）買來中國首台極紫外線光刻機的消息曝光之後，以生產 NAND Flash 為主的長江存儲，也在日前傳出，同樣向阿斯麥採購，價值 7,200 萬美元的 193 納米沉浸式光刻機，用於 20~14 納米的 3D NAND Flash 生產，也同樣運抵武漢。最新的是，華虹集團旗下的上海華力集成電路，也迎接了他們的首台 193 納米雙沉浸式的光刻機，以用於先進位程的晶圓製造生產。

事實上，中國在政府的政策支持下，發展半導體產業不遺餘力已經不是新聞。不論是式在晶圓代工製造、DRAM、NAND Flash 等領域，過去企圖透過併購、挖角以獲得先進技術。但是，在製程的過程中，關鍵的技術設備在過去難以取得，也是阻礙中國半導體發展的原因之一。如今，似乎這樣的限制正逐漸地被打開中。在相關的半導體生產中，中國廠商也開始逐漸導入先進的製程設備，以方面往更先進的製程。

據了解，在5 月 21 日上午運抵上海浦東新區康橋工業園南區的阿斯麥雙沉浸式光刻機，是由上海華宏集團旗下的華力集成電路所採購，預計將安裝於興建產線中的 12 寸晶圓廠──華虹六廠中使用。該部雙沉浸式光刻機的型號為 NXT 1980Di，可用於 10 納米級 （ 14~20 納米）的晶圓生產，它也是中國裝備的最先進的沉浸式光刻設備。

而根據市場調查研究單位 IC Insights 的資料指出，上海華虹在 2017 年的營收排名全球第八，雖然仍落後龍頭台積電很大的距離。但是，其金額卻僅次於中芯國際，而且年成長率高達 18%，為該年度全球成長最大的廠商。而上海華虹旗下的 12 寸晶圓廠──華虹六廠是該公司第 2 座 12 寸晶圓廠。預計產線完成建置，並正式投入生產後，最大產能可達每月 4 萬片。而開始設計的製程技術為 28 納米，最終將以 14 納米製程作為生產標準製程技術。

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