三星公布移動晶元生產路線圖 3nm GAA成最終目標

本文由騰訊數碼獨家發布

在日前於美國舉辦的第三屆三星Foundry論壇上，三星電子晶圓代工業務總裁兼總經理ES Jung介紹了公司未來在晶元技術方面將會展開的技術創新。

縮小晶體管是晶元技術發展的關鍵環節之一，但由於晶元組件的大小越來越接近原子，跟隨摩爾定律已經變得非常困難。摩爾定律的內容是，晶元上可容納的晶體管數量每隔兩年就會增加一倍。可實際上，這個增長速度已經開始放緩了。

為了解決這個問題，三星本次分享了他們未來在晶元生產計劃方面的一些細節。具體來講，三星今年推出的晶元將會使用一種名為「極紫外光刻」的技術——這項晚來10年的晶元生產技術預計可將晶元上的電子電路數量提高4倍。

與此同時，三星還公布了使用3nm工藝進行晶元生產的計劃。如果你對3nm這個量度沒有概念，那我們不妨進行一下對比：一根DNA鏈的寬度大約是2nm。

想要跟上摩爾定律，使用更精細的晶元生產工藝是非常關鍵的部分。對於電子設備而言，晶元體積的縮小好處多多，不僅可以增強性能、降低功耗和發熱，還能提高AI應用和計算機視覺（自動駕駛汽車）的運行效果。

三星本次公布了自家晶元生產路線圖的4個目標，但實現這些目標的具體時間還尚不明確：

·在今年，三星將會使用7nm工藝和極紫外光刻（EUV）技術進行晶元生產。

·接下來，他們會使用5nm工藝縮小晶元體積，並降低其功耗。對於依賴於電池運行的移動設備而言，它的重要意義不言自明。

·4nm工藝將會進一步縮小晶元體積並提升其性能，這也將是三星使用FinFET工藝生產的最後一代晶元。

·最後，名為全包圍柵極(GAA)的3nm工藝將會取代FinFET。

上面每一個發展步驟都會增加晶體管的複雜程度，從而增加生產成本。至於每晶體管的生產成本未來會增加多少，三星並未給出具體數據。

喜歡這篇文章嗎？立刻分享出去讓更多人知道吧！