「中國效應」下，2018年全球半導體資本支出將首破千億美元大關

受惠於半導體產業仍處於循環周期高檔的因素，市場調查機構 IC insight 調查報告指出，2018 年全球半導體產業的資本支出將首次突破千億美元大關。

報告中表示，之前在 2018 年 3 月份，IC insight 曾經預期 2018 年全年半導體的資本支出將成長 8%。如今，才不到一季的時間，IC insight 就把預估值由原本的 8% 上調至 14%。這樣看來，2018 年全年的半導體支出將首次破千億美元大關，而且金額將比 2016 年足足成長 53%。

報告中進一步指出，近兩年來始終位居半導體資本支出龍頭的韓國三星，雖然 2018 年還未公布全年的資本支出金額，但三星的確說過，相比2017年，2018年在半導體上的資本支出要收縮。2017年三星在半導體領域豪擲242億美元，為其過去三年平均資本支出的兩倍以上，也是史上單一公司資本支出最高記錄，適當收縮實屬正常。但從實際表現來看，三星絲毫沒有顯示出收縮的跡象，仍然擺出「腳踩油門」要大幹一場的架勢。

事實上，三星在 2018 年第 1 季的半導體資本支出達到 67.2 億美元，較之前 3 季水平略高。但是，若相較 2016 年同期，則已經成長近 4 倍的規模。累計過去 4 季以來，三星半導體部門的資本支出已經達到 266 億美元的金額。

IC insight 預期，2018 年三星半導體的資本支出將在 200 億元上下，略低於 2017 年 242 億美元。不過，因為 2018 年首季就有較之前略高的成長。因此，最後的結果很 可能將比預期的 200 億美元來的高。

另外，因為 NAND Flash 及 DRAM 的市場需求強勁，韓國存儲器大廠 SK 海力士預期也將在 2018 年增加資本支出至 115 億美元，較 2017 年的 81 億美元成長 42%。

而 SK 海力士在 2018 年增加的資本支出，將主用於在韓國清州兩家大型存儲器工廠的建置工作上。另外，還要擴大中國無錫的 DRAM 工廠。清州工廠在 2018 年年底前將開始興建，而中國無錫 DRAM 廠的擴建，也計劃在2018年年底前動工，這時間將比原計劃的 2019 年初開工要早幾個月。

在2017年之前，全球半導體資本支出高峰出現在2011年，當年資本支出為674億美元。2017年資本支出達到900億美元，同比增長34%，其中三星(242億美元)貢獻最多，扣除三星全行業增長為18%，因此IC Insights稱之為「三星泡沫」。IC Insights將2018年資本支出增長的原因歸結為「中國效應」，近期長江存儲、華力、中芯國際等紛紛搬入設備，算是一個註腳。不過不少行業人士也表示，2018年入場的設備，多數都被計入到2017年營收。這一輪擴產周期製造廠商相對比較激進，未來市場能否消化釋放出的產能尚待觀察，從設備業角度來看，多對當前行情持謹慎樂觀態度，有廠商預測2019年資本支出應該會有較大收縮。

本文綜合自Technews、Techsugar報道

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