衝擊物理極限！三星宣布5nm、4nm、3nm工藝

在美國舉行的三星工藝論壇SFF 2018 USA之上，三星更是宣布將連續進軍5nm、4nm、3nm工藝，直逼物理極限！

7LPP (7nm Low Power Plus)三星將在7LPP工藝上首次應用EUV極紫外光刻技術，預計今年下半年投產。關鍵IP正在研發中，明年上半年完成。

5LPE (5nm Low Power Early)在7LPP工藝的基礎上繼續創新改進，可進一步縮小晶元核心面積，帶來超低功耗。

4LPE/LPP (4nm Low Power Early/Plus)最後一次應用高度成熟和行業驗證的FinFET立體晶體管技術，結合此前5LPE工藝的成熟技術，晶元面積更小，性能更高，可以快速達到高良率量產，也方便客戶升級。

3GAAE/GAAP (3nm Gate-All-Around Early/Plus)Gate-All-Around就是環繞柵極，相比於現在的FinFET Tri-Gate三柵極設計，將重新設計晶體管底層結構，克服當前技術的物理、性能極限，增強柵極控制，性能大大提升。三星的GAA技術叫做MBCFET(多橋通道場效應管)，正在使用納米層設備開發之中。

大家可能以為三星的工藝主要用來生產移動處理器等低功耗設備，但其實在高性能領域，三星也準備了殺手鐧，大規模數據中心、AI人工智慧、ML機器學習，7LPP和後續工藝都能提供服務，並有一整套平台解決方案。

比如高速的100Gbps+ SerDes(串列轉換解串器)，三星就設計了2.5D/3D異構封裝技術。

而針對5G、車聯網領域的低功耗微控制器(MCU)、下代聯網設備，三星也將提供全套完整的交鑰匙平台方案，從28/18nm eMRA/RF到10/8nm FinFET任君選擇。

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