美光、英特爾為何分手？他們對未來NAND技術的看法不一致了
偶像劇中戀人最常見的分手原因是什麼？除了狗血的出軌、小三之外，最大的可能就是「你很好，但我們適合」，說明兩個人對未來的看法不一樣了。英特爾、美光本來在NAND領域是令人羨慕的楊過小龍女，不過今年1月份兩家也宣布未來將和平分手。至於分手的原因，現在才有消息稱這是因為雙方對未來NAND技術發展的態度不一樣了，美光要叛變到CTP技術陣營，英特爾還將堅持浮柵極技術陣營。
3D快閃記憶體時代美光、英特爾陣營是少數堅持浮柵極技術的NAND廠商
在NAND技術上，2D NAND快閃記憶體廠商使用浮柵極（Floating Gate）技術的還很多，不過轉向3D NAND時代，從三星V-NAND快閃記憶體開始普遍轉向了電荷捕獲（Charge trap）技術，只有美光、英特爾還在堅持使用浮柵極技術。
這兩種技術各有優缺點，三星早前在V-NAND宣傳中提到CTP技術可靠性更高、P/E耗能更低、寫入性能更好等等，但是這種技術也有成本高等問題，早前美光認為CTP技術可靠性並不好，如果六個月後不使用，NAND可能自己就擦除數據了。(註：三星早期的3D NAND遭遇過掉速問題，大概也與此有關）
不過3D NAND時代，NAND轉向CTP技術已經是大勢所趨，濃眉大眼的美光也不再堅持浮柵極技術了，在96層堆棧快閃記憶體之後技術路線也會轉變，但英特爾沒有這麼做，這件事也被傳成為雙方分手的原因。
美光、英特爾的分手還有至少一年時間才能完成，不過3D NAND快閃記憶體之後，雙方還會在3D XPoint快閃記憶體上技術合作，美光在前幾日的財報會議上提到會為3D XPoint快閃記憶體使用單獨的工廠，而英特爾之前也將中國大連的晶圓廠改建為快閃記憶體廠，主產3D NAND快閃記憶體，3D XPoint快閃記憶體未來也有可能在這裡生產。
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