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三星公布工藝開發路線圖:2022年生產3納米晶元

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三星公布工藝開發路線圖:2022年生產3納米晶元

日前,三星在美國舉辦了每年一度的「晶元製造論壇」(Foundry Forum)。在這次會議上,三星披露了推出7納米、5納米和3納米晶元製造工藝的路線圖。

7納米LPP將是三星採用遠紫外線光刻解決方案的第一種工藝,將於今年下半年投產,不過,採用這一工藝的晶元將從明年上半年開始量產。屆時,台積電也將開始量產採用7納米+工藝(也採用遠紫外線光刻解決方案)的晶元,並開始試生產5納米工藝晶元。

採用三星5納米LPE工藝的晶元將提供超低能耗。最後採用FinFET技術的晶元,將利用4納米工藝製造。利用該工藝製造的晶元性能更高,尺寸更小。這兩種工藝的晶元將分別於2019年和2020年投產。今年早些時候,韓國有媒體報道稱,三星將為高通製造採用7納米工藝的驍龍855晶元——消息稱它將用於三星明年的Galaxy S10手機。

從3納米工藝晶元開始,三星將利用自家新一代環繞柵極(Gate all-around)架構,預計3納米工藝晶元要到2022年才會投產。值得指出的是,生產工藝越先進,製造的晶元性能就越強大,越節能。

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