10nm馬上淘汰？三星規劃晶元製程路線：2022年要上3nm

日前，三星電子在位於美國的2018年三星半導體代工論壇上，公布其全面的晶元製程技術路線圖，目前已經更新至3nm工藝。

在路線圖中，三星公布7nm LPP（7nm Low Power Plus）、5nm LPE（5nm Low Power Early/Plus）、4nm LPE/LPP（4nm Low Power Early/Plus）和3nm GAAE/ GAAP（3nm Gate-All-Around Early/Plus）工藝技術的計劃。其中Low Power指的是低功耗，Gate-All-Around即GAA，指全環柵技術。Early為前期，Plus為增強版。

據介紹，三星的7nm LPP將成為該公司首款使用EUV（極紫外光刻）方案的半導體工藝技術。以往三星的製程工藝都會分為LPE和LPP兩代，不過7nm算是個例外，沒有LPE。之前已公布，三星7nm LPP將於2018年下半年量產，2019年的高通和三星晶元有望採用該製造工藝。

三星表示，在7nm LPP之後推出的5nm LPE將為SoC晶元提供更大的擴展面積和超低功耗優勢。此外，FinFET技術的使用將持續至4nm工藝。相比上一代5nm，三星的4nm LPE和LPP可提供更小的尺寸、更高的性能和更快的速度。

不僅如此，三星還提及了其3nm工藝，預計於2022年量產。從3nm開始，三星將拋棄FinFET結構，轉而採用下一代器件架構GAA。為了克服FinFET結構在尺寸和性能方面的限制，三星正在開發基於GAA技術的MBCFET（Multi Bridge Channel FET，多橋通道），預計3nm GAAE和GAAP的性能將更進一步提升。

與此同時，三星還強調了晶元關於人工智慧（AI）和機器學習能力的發展。從最新的7nm LPP技術及其EUV方案超越了傳統的封裝方案，三星稱其平台解決方案大大增加了晶元的計算能力，並加速了AI革命。

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