QLC快閃記憶體SSD大勢所趨：哪怕性能低、壽命短

西部數據披露，其第四代BiCS4 3D NAND快閃記憶體進展非常滿意，已經出貨給特定零售客戶，SSD、U盤、存儲卡等產品也不遠了。

西數(和東芝)的BiCS4技術採用96層堆疊設計，可用來製造TLC、QLC NAND快閃記憶體顆粒。

根據西數去年的說法，96層堆疊快閃記憶體初期用來製造3D TLC快閃記憶體，單Die容量256Gb(32GB)，而在良品率足夠高之後，會轉向更高容量的3D TLC，並最終製造3D QLC，容量可達1Tb(128GB)。

西數和東芝去年還曾經宣布過單Die容量768Gb(96GB)的BiCS3 64層堆疊3D QLC快閃記憶體顆粒，很可能會在96層QLC之前上市。

QLC快閃記憶體每單元可以保存4比特數據，相比TLC又多了三分之一，既有利於做大容量，也有利於降低成本，必然是快閃記憶體廠商們未來的重點，哪怕它壽命和性能繼續大幅度下滑。

美光此前已經出貨了第一款基於QLC快閃記憶體的固態硬碟，擦寫壽命只有區區1000次，完全不適合頻繁寫入使用。

喜歡這篇文章嗎？立刻分享出去讓更多人知道吧！